Estos nuevos circuitos de alimentación GaNFast de 650 V con base refrigeradora permiten una carga más rápida en formatos más compactos.
Navitas Semiconductor anuncia una nueva gama de circuitos integrados GaNFast de 650 V en un encapsulado PQFN de 6 x 8 mm con una base refrigeradora (cooling pad) para sistemas de elevada eficiencia y alta densidad.
Nitruro de galio (GaN) es una tecnología de semiconductor de próxima generación que rinde veinte veces más rápido que el silicio (Si) y triplica la potencia y la velocidad de carga en la mitad de tamaño y peso.
Los integrados de alimentación GaNFast respalda la actualización en diversos mercados, desde electrónica de consumo de 25 a 100 W y cargadores rápidos y adaptadores USB-C para teléfonos móviles y laptops a televisores y ordenadores “todo en uno” de 200 a 800 W e incluso vehículos eléctricos (VE) multi-kW y fuentes de alimentación industriales y para centros de datos.
“Como hemos visto en los recientes lanzamientos de Xiaomi y Lenovo, los CI de alimentación GaNFast operan a velocidades elevadas y contribuyen a reducir drásticamente el tamaño y el coste de los componentes pasivos en cargadores rápidos y adaptadores”, señala Dan Kinzer, CTO/COO y cofundador de Navitas. “La serie NV612x ofrece una disminución de 10 a 15 °C en la temperatura con una interfaz térmica a la PCB y una conexión térmica y eléctrica directa a la toma de tierra, permitiendo la máxima densidad de potencia y superando las especificaciones térmicas y las aprobaciones de los organismos”.
A pesar de que otras alternativas requieren componentes de control y protección complejos, la integración monolítica de circuitos GaN FET, GaN digitales y GaN analógicos hace que los nuevos Circuitos GaNFast sean más sencillos, compactos, rápidos y fríos.
Esta combinación de simplicidad y capacidad ayuda a alcanzar densidades de potencia de hasta 1 W/cc a 65 W y 1,25 W/cc a 300W, muy por encima de otras soluciones GaN o Si discretas.
Estos modelos de 6 x 8 mm con cooling pad avanzado se ofrecen al mismo precio que las unidades GaNFast de 5 x 6 mm y, en algunos casos, las novedades de baja temperatura permiten sustituir una versión de die menor para reducir los costes de sistema.
Modelos disponibles para su aplicación
La nueva gama de CI de 650 V, que mejora la disipación de calor en la PCB, incluye circuitos de control y protección y FET de potencia GaN en un encapsulado PQFN de montaje superficial de 6 x 8 mm y baja inductancia (alta velocidad).
- NV6123: 650 V, 300 mΩ y PQFN de 6 x 8 mm
- NV6125: 650 V, 175 mΩ y PQFN de 6 x 8 mm
- NV6127: 650 V, 125 mΩ y PQFN de 6 x 8 mm
El soporte de diseño abarca fichas técnicas, modelos eléctricos (SPICE), modelos mecánicas (.stp) y una nota de aplicación de distribución térmica (AN011).
