La SDRAM DDR4 CMOS AS4C1G16D4-062BCN de 1 Gb x 16 bits ofrece consumo de 1,2 V con velocidades de reloj de hasta 1.600 MHz y ratios de transferencia de hasta 3.200 MT/s.
Alliance Memory anuncia la ampliación de su catálogo de memorias SDRAM DDR4 CMOS con un nuevo dispositivo de 16 Gb en el encapsulado FBGA 96-ball (9 x 13 x 1,2 mm), que ofrece una opción de mayor densidad para una amplia variedad de aplicaciones.
Así, el modelo AS4C1G16D4-062BCN aporta mejoras en rendimiento con respecto a las SDRAM DDR3 de la anterior generación, con menor consumo de energía y mayores velocidades y ratios de transferencia.
Para incrementar la vida de la batería en productos electrónicos portátiles, como teléfonos móviles y tabletas, la nueva SDRAM DDR4 se caracteriza por una tensión operativa de +1,2 V (±0,06 V). Con una arquitectura 8n-prefetch, alcanza velocidades de reloj de hasta 1.600 MHz y velocidades de transferencia de hasta 3.200 MT/s.
El modelo AS4C1G16D4-062BCN está diseñado, cualificado y recomendado para uso en aplicaciones 5G, informática, sistemas de vigilancia, contadores inteligentes, interfaces hombre-máquina (HMI), controladores de señal digital o PND.
Esta SDRAM DDR4 de 1 Gb x 16 bits soporta tipos burst secuenciales e intercalados con longitudes burst de lectura o escritura de BC4, BL8 y otras más.
Una función de precarga automática ofrece una precarga de fila iniciada al final de la secuencia de burst, mientras que las funciones refresh fáciles de usar incluyen un refresco automático.
Nuevas posibilidades de uso
Con mínima “reducción” de die, la SDRAM DDR4 dota de un reemplazo compatible pin a pin en numerosas soluciones similares, eliminando así la necesidad de rediseños y recalificaciones de componentes.
Además, al estar disponible en un rango de temperatura comercial (de 0 a 95 °C), la AS4C1G16D4-062BCN resulta ideal en entornos industriales, redes, telecomunicaciones, gaming y consumo.
Existe más información de la SDRAM DDR4 CMOS en este enlace.
