El distribuidor Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado que dispone de existencias en stock del amplificador de potencia GaN con salida de 10 W de nitruro de galio TGA2976-SM de Qorvo, que ha sido desarrollado usando la tecnología de proceso GaN en carburo de silicio (SiC) de 0.25µm del fabricante para aumentar el rendimiento de banda ancha, potencia, eficiencia de potencia añadida (PAE) y ganancia.
La tecnología GaN soporta densidades de potencia de radiofrecuencia (RF) entre cinco y seis veces superiores a amplificadores RF basados en arseniuro de galio (GaAs). De esta forma, se convierte en una alternativa fiable para infraestructuras y las industrias militar y aeroespacial, como radares, guerra electrónica, comunicaciones, navegación y aplicaciones similares.
En estos entornos, el amplificador de potencia GaN ayuda a incrementar las prestaciones y la flexibilidad para reducir el espacio de tarjeta y los costes de sistema.
El Qorvo TGA2976-SM es un amplificador libre de plomo (RoHS) que se caracteriza por operación de 40 V y entre 0.1 y 3 GHz, potencia de salida saturada de 10 W con ganancia de señal de 13 dB y PAE por encima del 38 por ciento. También destaca por 50 Ω en ambos puertos RF para simplificar la integración.
Usos posibles para el amplificador de potencia GaN
Disponible en un encapsulado laminado de cavidad de aire y montaje superficial de 4 x 4 mm, el TGA2976-SM está especialmente indicado en aplicaciones de radar y comunicación en mercados militares y comerciales.
