Con un diseño de tamaño compacto, el amplificador de potencia de alta linealidad GRF5112 cubre la banda de frecuencias que va desde los 30 a los 2.700 MHz.
Guerrilla RF, firma especializada en proveer MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) de alto rendimiento al mercado de las infraestructuras de comunicaciones inalámbricas, presenta el nuevo amplificador de potencia de alta linealidad GRF5112.
Este amplificador, se basa en la tecnología GaAs pHEMT, y diseñado para ofrecer un buen rendimiento en términos de OIP3 y ACLR en la banda de frecuencias que va de los 30 hasta los 2.700 MHz.
Su alta linealidad nativa lo convierte en una elección idónea para su uso en aplicaciones de transmisión que generalmente no utilizan esquemas de corrección de predistorsión digital.
Así, el componente electrónico mantiene una salida lineal de +20 dBm a una temperatura de hasta 105 grados centígrados, y es capaz de operar en condiciones extremas sin pérdida de rendimiento.
Presenta un consumo de corriente en modo nativo de 212 mA y una tensión de alimentación de 5 V, con una eficiencia notable. Presenta una impedancia de entrada y salida de 50 Ω, lo que facilita su integración en diversos diseños de sistemas. Además, su diseño robusto le permite asegurar una alta resiliencia frente a cargas desajustadas, haciendo de este amplificador una solución fiable para aplicaciones exigentes.
Aplicaciones versátiles y rendimiento consistente
En principio, entre las aplicaciones recomendadas para el GRF5112 encontramos los amplificadores de señal para automóviles, las estaciones base de baja potencia (picoceldas y femtoceldas), y equipamiento en las instalaciones del cliente.
La flexibilidad de su configuración de polarización permite optimizar la linealidad según las necesidades específicas de cada aplicación.
Mientras, la quiescencia del dispositivo se mantiene en un consumo de corriente de 212 mA en modo nativo, con una ganancia pequeña de señal de 17,1 dB a 1.805 MHz y una figura de ruido de 1,7 dB, lo que subraya su eficiencia operativa.
Además, se presenta en un encapsulado compacto QFN de 3×3 mm que facilita su integración en diseños de circuitos impresos densos.
Su robustez se refleja en su capacidad para soportar tensiones de entrada de hasta 20 dBm y una relación de ondas estacionarias de voltaje (VSWR) de carga de hasta 8:1. Estas características aseguran que el dispositivo puede manejar cargas desajustadas sin comprometer su integridad o rendimiento.
Finalmente, indicar que podemos sintonizarlo para que ofrezca un rendimiento óptimo en sub-bandas dentro del rango de frecuencia especificado. Su diseño permite una excelente relación de pérdida de retorno de entrada y salida, con valores típicos de menos de -11 dB y -6 dB respectivamente.
Para terminar, en el “Servicio al lector de NTDhoy” puedes solicitar más información sobre el Guerrilla RF GRF5112.
Y, en nuestro monográfico Especial módulos inalámbricos, puedes encontrar información de casi todas las posibilidades del mercado actual.
