Los módulos de alimentación A2F12M12W2-F1 y A2U12M12W2-F2 con encapsulado ACEPACK 2 son ideales en convertidores DC/DC.
STMicroelectronics anuncia dos nuevos módulos STPOWER con MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V en varias configuraciones.
Cada uno de ellos se beneficia de la tecnología de encapsulado ACEPACK 2 de la compañía para poder garantizar mejoras en densidad de potencia y simplicidad de ensamblaje.
Detalles y características técnicas
La primera de las novedades es el modelo A2F12M12W2-F1, un módulo four–pack que ofrece una solución full–bridge compacta a circuitos como convertidores DC/DC.
El otro nuevo producto es el A2U12M12W2-F2, que emplea una topología tipo-T de tres niveles para combinar alta eficiencia de conmutación y conducción con consistencia en la tensión de salida.
Los MOSFET de estos módulos aprovechan la tecnología SiC de segunda generación, que dota de unas excelentes prestaciones de RDS(on) por área de die para asegurar una alta capacidad de corriente con mínimas pérdidas. Con una RDS(on) por die típica de 13 mΩ, ambas topologías full–bridge y tipo-T satisfacen las necesidades de aplicaciones de alta potencia y garantizan la eficiencia energética con una gestión térmica simplificada debido a la baja disipación.
El encapsulado ACEPACK 2 posee un formato compacto que respalda la alta densidad, con un sustrato de aluminio y una fijación de die de cobre directa (DBC).
Las conexiones externas son pines press fit que contribuyen a simplificar el montaje en equipos para entornos potencialmente adversos, como vehículos eléctricos (VE) y sistemas de conversión de estaciones de recarga, almacenamiento de energía y energía solar.
Este encapsulado proporciona un aislamiento de 2,5 kVrms e integra un sensor de temperatura NTC que se puede utilizar en tareas de protección y diagnóstico de sistema.
Ambos módulos se encuentran en fase de producción.
