El nuevo MOSFET de super unión WSJ2M60R065DTL ofrece una resistencia ultra baja de 65 mΩ, capacidad de conmutación de 1000 A/μs y encapsulado TOLL, facilitando así la miniaturización y la gestión térmica en servidores de inteligencia artificial y telecomunicaciones.
El fabricante WeEn Semiconductors ha lanzado un nuevo MOSFET de super unión de 600 V, modelo WSJ2M60R065DTL, diseñado para satisfacer las necesidades de aplicaciones de procesamiento intensivo como servidores de inteligencia artificial y telecomunicaciones.
Este dispositivo permite mejorar la eficiencia del sistema, reducir el factor de forma y simplificar la gestión térmica.
Basado en la última generación de tecnología super junction de la compañía, el WSJ2M60R065DTL combina una resistencia en conducción (RDS(ON)) líder en el sector y un excelente índice de mérito (RDS(ON) x Qg), todo ello integrado en un encapsulado TOLL ultra compacto.
Así, se convierte en una solución idónea para arquitecturas donde el espacio y la eficiencia térmica son críticos.
Alta robustez en recuperación inversa y conmutación rápida
El nuevo MOSFET está preparado para soportar corrientes de hasta 50 A, con una resistencia máxima de 65 mΩ y una tensión de bloqueo típica cercana a los 700 V. Integra un diodo FRD optimizado que proporciona una recuperación inversa robusta y un rendimiento térmico equilibrado, incluso en condiciones exigentes.
Su diodo de cuerpo permite velocidades de conmutación de hasta 1000 A/μs sin sufrir daños, haciéndolo especialmente apto para aplicaciones conmutadas en condiciones de cero voltaje (ZVS), como las topologías soft-switching.
Dichas características le permiten mantener una alta eficiencia, incluso en escenarios con funcionamiento irregular.
Control preciso de la carga y fiabilidad garantizada
Durante el desarrollo del dispositivo, el fabricante ha puesto especial atención en el control preciso del equilibrio de carga dentro de la estructura super junction.
Esto garantiza una gran robustez frente a avalanchas y unas pérdidas capacitivas mínimas, logrando un equilibrio optimizado entre la RDS(ON) y la energía de salida almacenada (EOSS).
Todos los modelos de super junction MOSFETs de la compañía han sido sometidos a exhaustivas pruebas de fiabilidad, incluyendo comprobaciones de envejecimiento, descarga electrostática (ESD) y consistencia entre muestras.
Gracias a ello, el WSJ2M60R065DTL ofrece un rendimiento estable y predecible en diferentes condiciones de temperatura y corriente.
Para los asistentes a PCIM 2025 en Núremberg, el nuevo dispositivo estará expuesto en el estand de la marca, junto a otros componentes bipolares como rectificadores controlados por silicio, diodos de potencia, transistores de alta tensión y dispositivos de carburo de silicio (SiC).
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