La nueva GD5F1GM9 combina velocidad de lectura de hasta 83 MB/s con funciones avanzadas de gestión de bloques defectuosos, optimizando los tiempos de arranque en aplicaciones industriales, de seguridad e IoT.
La GD5F1GM9, desarrollada por GigaDevice, es una memoria NAND Flash QSPI de alta velocidad que se presenta como una solución eficaz para aplicaciones de arranque rápido, al combinar el rendimiento de lectura característico de las memorias NOR con la capacidad y rentabilidad de las NAND.
Esta serie ha sido diseñada específicamente para superar las limitaciones comunes de latencia y gestión de bloques defectuosos presentes en productos SPI NAND tradicionales.
Fabricada con tecnología de 24 nm, la serie GD5F1GM9 está disponible en versiones de 3 V y 1,8 V y soporta modos de lectura avanzados como Continuous Read, Cache Read y Auto Load Next Page.
Los dos primeros permiten leer todo el array de memoria con una sola orden, mientras que el tercero facilita la precarga de la siguiente página.
Estos modos aprovechan un novedoso enfoque de computación paralela en el diseño del código de corrección de errores (ECC), reemplazando el método secuencial anterior y reduciendo significativamente los tiempos de cálculo del ECC incorporado.
Velocidades de lectura y eficiencia energética
En cuanto a rendimiento, la versión de 3 V puede alcanzar una velocidad de lectura continua de hasta 83 MB/s operando a una frecuencia máxima de 166 MHz, mientras que la versión de 1,8 V alcanza 66 MB/s con una frecuencia máxima de 133 MHz.
Dichos valores multiplican por tres el rendimiento de lectura de las soluciones SPI NAND convencionales a igual frecuencia.
Gracias a ello, se mejora el ancho de banda de acceso a datos, se reduce el tiempo de arranque del sistema y se optimiza el consumo energético general.
Gestión avanzada de bloques defectuosos
Uno de los aspectos más innovadores de la GD5F1GM9 es su sistema de gestión avanzada de bloques defectuosos (BBM).
Dado que las memorias NAND incluyen bloques defectuosos de fábrica y pueden generar nuevos durante su vida útil, la función BBM integrada en el chip permite mantener la integridad de lectura en modo continuo.
A través de la creación de enlaces lógicos entre bloques defectuosos y bloques físicos válidos, el acceso se redirige automáticamente a zonas funcionales, eliminando interrupciones.
Desde fábrica, se garantiza que los primeros 256 bloques sean válidos, y el sistema BBM puede manejar hasta 20 enlaces mediante tabla de búsqueda (LUT) para ampliar la cobertura de remapeo.
Así, no solo maximiza el aprovechamiento de los recursos de memoria, sino que simplifica el diseño de sistema para el desarrollador.
La serie GD5F1GM9 cuenta con una capacidad de 1 Gb, y se encuentra disponible en encapsulados WSON8 de 8 x 6 mm, WSON8 de 6 x 5 mm y BGA24 con una matriz de 5 x 5 bolas.
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