Con un encapsulado exclusivo que mejora la resistencia de aislamiento, los nuevos diodos de barrera Schottky SCS2xxxNHR de SiC se dirigen a aplicaciones de automoción y sistemas industriales, brindando mayores niveles de fiabilidad y rendimiento en alta tensión.
ROHM Semiconductor anuncia su nueva gama de diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) para montaje superficial, diseñados específicamente para mejorar la resistencia de aislamiento en aplicaciones de alta tensión, con un enfoque particular en sistemas de vehículos eléctricos xEV y dispositivos industriales.
Con un diseño innovador que aumenta la distancia de creepage entre terminales, estos diodos han sido optimizados para evitar problemas de seguimiento eléctrico en sistemas de alta tensión, lo cual supone una mejora de aproximadamente un 30 % respecto a productos estándar similares.
Así, los primeros modelos de esta serie SCS2xxxNHR están disponibles para aplicaciones de automoción, como los cargadores de a bordo (OBC), y ROHM planea lanzar en diciembre de 2024 versiones adicionales para aplicaciones industriales, incluidas fuentes de alimentación e inversores fotovoltaicos.
El crecimiento de los vehículos eléctricos y sistemas híbridos enchufables (xEV) ha generado una demanda significativa de semiconductores de potencia que combinen baja generación de calor con capacidades avanzadas de conmutación en alta velocidad y tensión.
Mientras, los SBD de SiC, utilizados habitualmente en cargadores de a bordo, destacan en este tipo de aplicaciones.
Sin embargo, la tendencia hacia dispositivos de montaje superficial compacto ha supuesto un reto de diseño importante, ya que la menor distancia de creepage típica de estos productos compactos puede comprometer la seguridad de aislamiento en sistemas de alta tensión.
Encapsulado optimizado para mayor seguridad
Como parte de su compromiso de innovación en dispositivos de SiC, ROHM ha desarrollado un diseño de encapsulado que asegura una distancia de creepage mínima de 5,1 mm, incrementando de forma significativa la resistencia al rastreo eléctrico.
La gama SCS2xxxNHR de ROHM se distingue por un diseño original en el que se ha eliminado el pin central en la base del encapsulado, incrementando la separación entre terminales y mejorando el rendimiento de aislamiento sin necesidad de encapsulación adicional en resina.
Esto no solo simplifica el montaje en circuitos de alta tensión, sino que permite también la sustitución directa en placas de circuito impreso que utilizan encapsulados estándar TO-263, asegurando compatibilidad en procesos de fabricación y reduciendo costos de adaptación.
Los modelos de diodos de la serie SCS2xxxNHR están disponibles con dos tensiones nominales: 650 V y 1200 V, lo que los hace aptos tanto para sistemas de 400 V, frecuentemente empleados en vehículos xEV, como para sistemas de tensión superior que se proyecta serán cada vez más comunes en el futuro.
Adicionalmente, estos diodos han obtenido la certificación AEC-Q101, una calificación fundamental para el sector automotriz que garantiza la alta fiabilidad y resistencia que requiere el entorno operativo de este sector.
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