Respaldando diseños más eficientes y fiables, el MOSFET AONA66916 también se beneficia de la tecnología AlphaSGT para cumplir los requisitos en entornos adversos.
Alpha and Omega Semiconductor (AOS), diseñador, desarrollador y fabricante de dispositivos de alimentación y WBG, PMIC y módulos, anuncia el lanzamiento del modelo AONA66916, un MOSFET de 100 V que se presenta en un encapsulado DFN 5 x 6 con una novedosa refrigeración lateral en las partes superior e inferior.
Ahora, con esto encapsulado innovador, AOS permite mantener sus semiconductores más “frescos” y, por ende, ayuda a los ingenieros a desarrollar diseños más eficientes en sistemas de telecomunicaciones y entornos industriales (con condiciones adversas).
Generalmente, al emplear un encapsulado DFN 5 x 6 estándar, el contacto inferior es el principal valedor de la refrigeración y la mayoría del calor generado por los MOSFET de potencia se transfiere a la PCB. Esto se traduce en un aumento de los requisitos de diseño de gestión térmica de PCB a cumplir.
Mejor rendimiento térmico
Por ello, el nuevo encapsulado con refrigeración en las zonas superior e inferior consigue la máxima transferencia de calor entre el contacto superior expuesto y el disipador de calor, debido a la construcción con una mayor área de contacto de superficie. El resultado es una resistencia térmica (Rthc-top max) de 0,5 °C / W, que es lo que se transfiere a la tarjeta PCB, y una mejora significativa de las prestaciones.
El encapsulado DFN 5 x 6 del AONA66916 comparte las mismas dimensiones (5 x 6 mm) que otro modelo estándar y elimina la necesidad de modificar las disposiciones de PCB existentes.
Otras características
El AONA66916 también se distingue por utilizar tecnología AlphaSGT de 100 V de AOS, especialmente útil a la hora de garantizar el rendimiento en aplicaciones de conmutación dura. Este MOSFET posee una RDS(on) máxima de 3,4 mΩ y una temperatura de unión de 175 °C.
“Refrigerar un MOSFET de potencia en un diseño de alta potencia puede ser un desafío, que desde AOS hemos resuelto con un nuevo encapsulo avanzado. No sólo respalda una mejor transferencia térmica desde el contacto expuesto en la parte superior al disipador de calor, sino que también contribuye a ofrecer una solución final más eficiente y robusta”, concluye Peter H. Wilson, Director de Marketing de la línea de MOSFET de AOS.
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