Los MOSFET de potencia QSiC ofrecen alto rendimiento y fiabilidad en inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC-CC de alta tensión.
SemiQ, compañía especializada en el diseño, el desarrollo y el suministro de soluciones de carburo de silicio (SiC) para aplicaciones de alta tensión, anuncia la ampliación de su catálogo de módulos de alimentación QSiC con la introducción de una nueva serie de MOSFET de potencia SiC de 1.200 V en encapsulados half–bridge.
Testados para operar de manera fiable en los entornos más demandados, los nuevos módulos compactos de alto rendimiento permiten implementaciones de alta densidad de potencia y, al mismo tiempo, minimizan las pérdidas dinámicas y estáticas.
Además, con una tensión de ruptura de más de 1.400 V, estos modelos QSiC soportan una operación de hasta 175 °C (Tj) con poca variación de Rds(On) en todo el rango de temperatura. También se distinguen por una gran estabilidad de óxido de puerta y una larga vida útil, robustez de conmutación inductiva sin bloqueo (UIS) contra avalanchas y un largo tiempo de resistencia a los cortocircuitos.
Aplicaciones variadas
Con una base sólida de cerámica de alto rendimiento, los módulos son idóneos en sistema de carga de vehículos eléctricos (VE), cargadores de a bordo (OBC), convertidores CC-CC, E–compressors, convertidores de pila de combustible, fuentes de alimentación médicas, inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, sistemas de energía solar y eólica, fuentes de alimentación de centros de datos, circuitos de SAI//PFC, rectificadores Vienna y otras aplicaciones en automoción e industria.
Modelos ya disponibles para suministro
- GCMX010A120B2B1P: 1.200 V / 214 A, B2 y 9 mΩ
- GCMX020A120B2B1P: 1.200 V / 102 A, B2 y 19 mΩ
- GCMX005A120B3B1P: 1.200 V / 383 A, B3 y 4,4 mΩ
- GCMX010A120B3B1P: 1.200 V / 173 A, B3 y 9 mΩ
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