Diseñado para aplicaciones industriales, el módulo MOSFET QSiC 1200V soporta la operativa a altas temperaturas.
SemiQ, compañía dedicada íntegramente a las soluciones SiC (carburo de silicio) estandarizadas y a medida para aplicaciones de alto voltaje, presenta la expansión de su línea de módulos con el MOSFET 1200V QSiC, diseñado para su uso en aplicaciones de alta eficiencia, rendimiento y voltaje. Este módulo, que podemos combinar con o sin diodos Schottky de SiC de 1.200 V, se presenta en un encapsulado SOT-227.
Fabricado con cerámicas de alto rendimiento, el módulo MOSFET QSiC 1200V busca ofrecer la mayor fiabilidad posible incluso en condiciones operativas extremas, y se caracteriza por una tensión de ruptura superior a 1.400 V, su capacidad operativa a altas temperaturas (Tj = 175 grados centígrados), y un bajo desplazamiento Rds(On) a lo largo de todo el rango de temperaturas de funcionamiento.
Además, también proporciona una gran estabilidad y una vida útil prolongada, junto con una robustez de avalancha (UIS) y tiempos de resistencia a cortocircuitos extendidos.
Estos módulos están orientados a mercados como la carga de vehículos eléctricos, convertidores CC-CC, compresores electrónicos, conversores para pilas de combustible, suministro de energía para aplicaciones médicas, sistemas de almacenamiento de energía, energía solar y eólica, suministros de energía para centros de datos, circuitos UPS/PFC y otras aplicaciones de energía automotriz e industrial.
Avances en fiabilidad y aplicaciones diversas
SemiQ ha sometido a todos los nuevos módulos QSiC a pruebas de quemado a nivel de oblea, garantizando así un óxido de puerta de alta calidad con un voltaje umbral de puerta estable.
Además, se han realizado pruebas de estrés como estrés en la puerta, sesgo de alta temperatura inversa (HTRB, por sus siglas en inglés), estrés en el drenaje y alta humedad, alto voltaje y alta temperatura (H3TRB), para asegurar los niveles de calidad industriales requeridos.
Los nuevos módulos SOT-227 de 1.200 V se encuentran disponibles en categorías de MOSFET SiC de 20, 40 y 80 miliohmios.
Estos módulos están diseñados pensando en aplicaciones de alta densidad de potencia y configuraciones de diseño optimizadas.
Finalmente, en el “Servicio al lector de NTDhoy” puedes solicitar más información sobre el módulo MOSFET QSiC 1200V.
