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Transistores con dos resistencias (RET) de 500 mA en encapsulado DFN2020(D)-6

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Ideales en aplicaciones con restricciones de espacio, los nuevos RET posibilitan una conmutación de carga de alta potencia.

Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza una nueva serie transistores equipados con dos resistencias (RET) de 500 mA en encapsulado DFN2020(D)-6 ultracompacto.

Estos dispositivos han sido diseñados para tareas de conmutación de carga en wearables y teléfonos móviles inteligentes, así como para uso en circuitos digitales con requisitos de mayor potencia, como sucede en sistemas informáticos (con restricciones de espacio), comunicaciones, entornos industriales y automoción.

Configuración “RET en DFN”

La configuración “RET en DFN” cumple dos objetivos de ahorro de espacio. Al integrar el transistor de unión bipolar (BJT) y la resistencia en un mismo encapsulado, ofrece un ahorro sustancia en la tarjeta y, además, el encapsulado DFN vuelve a contribuir a aumentar la economía espacial en dispositivos electrónicos.

Con la intención de disminuir la cantidad de componentes y simplificar el diseño de tarjeta, los doce nuevos RET combinan dos BJT con resistencias bias. También incluyen una segunda resistencia integrada paralela en el mismo camino de emisor-base para construir un divisor de tensión, que respalda mejoras en el comportamiento.

Dado que las resistencias internas tienen tolerancias superiores a las externas, estos RET satisfacen las necesidades de aplicaciones de conmutación donde los transistores operan en estado on u off y permiten dejar atrás la dependencia de temperatura de los BJT estándares. Además, reducen los costes asociados apick and placey gestión manual.

Los dispositivos RET se encuentran disponibles en opciones de dos NPN/NPN, NPN/PNP y PNP/PNP. A diferencia de otras alternativas similares, las novedades de Nexperia están especificadas con una corriente de salida de 500 mA en un encapsulado DFN2020(D)-6 de 2 x 2 x 0,65 mm.

Este encapsulado asegura un excelente rendimiento térmico en aplicaciones de alta potencia, soportando una potencia de salida total de hasta 1 W desde tensiones de colector-emisor (VCEO, open base) de hasta 50 V.

Otras posibilidades

Transistores con dos resistencias (RET) de 500 mA en encapsulado DFN2020(D)-6

En principio, los nuevos RET se encuentran disponibles en modelos estándares y para automoción (AEC-Q101).

El catálogo de Nexperia consta de más de cuatrocientas referencias, incluyendo RET sencillos y duales con diversas combinaciones de resistencias y encapsulados DFN y SMD leaded para superar los requisitos de muchas aplicaciones.

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