Superando los requisitos de los estándares JEDEC, los nuevos transistores HD-GIT CoolGaN de 600 V aportan mejoras en rendimiento, eficiencia y robustez.
Infineon Technologies ha integrado exitosamente el transistor de inyección de puerta hybrid–drain–embedded (HD-GIT) de 600 V CoolGaN en su proceso de fabricación. La compañía ahora lanza un catálogo completo de dispositivos de nitruro de galio (GaN), compuesto por dispositivos discretos y totalmente integrados (IPS) que superan los requisitos de vida útil JEDEC.
Estas novedades han sido optimizadas para un buen número de aplicaciones, desde fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) industriales para servidores, telecomunicaciones y energía solar a electrónica de consumo, como cargadores y adaptadores, TV/monitores y sistemas de iluminación LED.
Los dispositivos discretos e IPS dotan a los diseñadores de la flexibilidad necesaria para cumplir los requisitos de aplicaciones industriales JEDEC (JESD47 y JESD22).
Nuevas posibilidades y formatos
Las variantes discretas CoolGaN GIT HEMT se encuentran disponibles en encapsulados DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81 y TSON-8 y en múltiples valores de R DS(on) de 42 a 340 mΩ, en tanto que los IPS tienen formatos half–bridge y monocanal. Los half–bridge integran dos interruptores GaN en un encapsulado TIQFN-28 con valores R DS(on) de (2x) 190-650 mΩ, mientras que las soluciones monocanal se suministran en un encapsulado TIQFN-21 con mejoras térmicas con R DS(on) máximas en el rango de 130-340 mΩ.
La tecnología CoolGaN GIT de Infineon combina estructura de puerta robusta, protección ante la descarga electrostática (ESD) interna y excelente rendimiento R DS(on), aportando numerosos beneficios en eficiencia, modulación de corriente y ausencia de pérdidas con respecto a alternativas de silicio (Si).
Infineon está mostrando las novedades del catálogo CoolGaN 600 V GIT HEMT en PCIM Europe 2023, que se celebra estos días en Núremberg (Alemania).
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