Con una estructura MPS, el diodo Schottky SiC PSC1065K dota de robustez y eficiencia a aplicaciones de alta tensión en entornos industriales.
Nexperia, compañía experta en semiconductores, introduce el modelo PSC1065K, un diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V diseñado para aplicaciones de alimentación que requieren alto rendimiento, baja pérdida y elevada eficiencia.
Así, este diodo Schottky SiC de 650 V y 10 A pretende responder a la demanda de aplicaciones de alta tensión y elevada corriente en entornos industriales, incluyendo fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores AC-DC y DC-DC, infraestructura de carga de batería, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores fotovoltaicos, donde respaldan operaciones más sostenibles.
Por ejemplo, los centros de datos equipados con fuentes de alimentación con el diodo PSC1065K podrán cumplir los estrictos estándares de eficiencia mejor que aquellas con soluciones basadas en silicio.
El PSC1065K dota de elevadas prestaciones con conmutación capacitiva independiente de temperatura y comportamiento zero recovery, lo que se traduce en una figura de mérito (QC x VF). Su rendimiento de conmutación también es totalmente independiente de las variaciones de velocidad de conmutación y corriente.
Ventajas incorporadas en el componente electrónico
Inicialmente, la estructura merged PiN Schottky (MPS) del PSC1065K dota de beneficios adicionales, como robustez ante la sobrecarga, que eliminan la necesidad de circuitería de protección adicional. Estas funciones reducen significativamente la complejidad de sistema y permiten a los diseñadores de hardware aumentar la eficiencia con formatos compactos en aplicaciones de alta potencia
El nuevo diodo Schottky SiC se presenta en un encapsulado plástico through–hole TO-220-2 Real-2-Pin (R2P). Las opciones de encapsulado abarcan montaje superficial (DPAK R2P y D2PAK R2P) y through–hole (TO-247-2) con una configuración de dos pines que incrementa la fiabilidad en aplicaciones de alta tensión con una temperatura de hasta 175 °C.
Nexperia tiene previsto seguir aumentando su catálogo de diodos SiC con modelos de grado automoción que operan con tensiones de 650 y 1.200 V con corrientes en el rango de 6 a 20 A.
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