Con una eficiencia del 98%, los nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y SiZF5302DT pueden sustituir a dos MOSFETs independientes, ahorrando en espacio y facilitando la miniaturización de los sistemas.
Vishay Intertechnology, fabricante de componentes electrónicos que van desde semiconductores discretos hasta componentes pasivos, presenta sus nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y SiZF5302DT de potencia de n-canales simétricos de 30 V.
Se recomiendan para su empleo en la conversión de potencia en aplicaciones de telecomunicaciones e informática, incrementando la eficiencia mientras reducen la cantidad de componentes y simplifican los diseños. En ambos se combinan MOSFETs TrenchFET Gen V de alta y baja tensión, en un solo paquete PowerPAIR 3x3FS de 3,3×3,3 mm.
Podemos utilizarlos en vez de dos dispositivos discretos en el encapsulado PowerPAK 1212, lo que significa un ahorro del 50% en el espacio del tablero, y ofrecen una huella 63% más pequeña que los MOSFETs duales en el paquete PowerPAIR 6x5F.
Estos dispositivos brindan soluciones de ahorro de espacio a los diseñadores para conversores buck síncronos, conversión de punto de carga (POL, por sus siglas en inglés), y módulos CC/CC en ordenadores portátiles con entrega de energía mediante puerto USB-C, servidores, ventiladores de refrigeración de corriente continua y equipos de telecomunicaciones.
En dichas aplicaciones, los MOSFETs de alta y baja tensión del SiZF5302DT forman una combinación optimizada para ciclos de trabajo del 50% junto con una gran eficiencia, especialmente en cargas que van desde 1 hasta 4 Amperios, mientras que el SiZF5300DT ofrece una combinación optimizada para cargas pesadas en el rango de los 12 a 15 A.
Tecnología de última generación
Los SiZF5300DT y SiZF5302DT aprovechan la tecnología Gen V de 30 V de Vishay para una resistencia óptima y una carga de compuerta; el SiZF5300DT presenta una resistencia típica de 2,02 mOhmios a 10 V, y de 2,93 mOhmios a 4,5 V, mientras que el SiZF5302DT cuenta con una resistencia de 2,7 mOhmios a 10 V, y de 4,4 mOhmios a 4,5 V.
La carga de compuerta típica para los MOSFETs a 4,5 V es de 9,5 y 6,7 nC respectivamente. El resultado es una resistencia ultra baja, multiplicada por la carga de compuerta, que es una medida clave para los MOSFETs utilizados en aplicaciones de conversión de potencia, y es un 35% menor que la de las soluciones con una resistencia interna similar.
Para las aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, se produce un incremento del 2% en la eficiencia, lo que permite llegar a una eficiencia del 98% a 100 W.
Toda la información del SiZF5300DT la tenemos disponible aquí, mientras que para el SiZF5302DT podemos acceder a este enlace.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
