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Gate driver RAJ2930004AGM

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Capaz de trabajar con MOSFETs IGBT y SiC, el nuevo gate driver RAJ2930004AGM se erige como un componente fundamental para inversores en vehículos eléctricos.

Renesas Electronics, proveedor de microcontroladores y soluciones avanzadas de semiconductores, anuncia su nuevo circuito integrado controlador de puerta RAJ2930004AGM, cuyo diseño le permite manejar dispositivos de potencia de alta tensión tales como cómo MOSFETs IGBT (transistores bipolares aislados) y SiC (Carburo de silicio) para inversores en vehículos eléctricos (EV).

Estos circuitos controladores de puerta son componentes esenciales para los inversores de EV, ya que proporcionan una interfaz entre el MCU (microcontrolador) de control del inversor, y los MOSFETs IGBT y SiC que suministran energía al inversor.

Reciben señales de control del MCU en el dominio de la baja tensión, transfiriendo estas señales para encender y apagar rápidamente los dispositivos de potencia en el dominio de alta tensión.

Para adaptarse a las tensiones más altas de las baterías de los vehículos eléctricos, el nuevo gate driver RAJ2930004AGM intergra un aislador de 3,75 kVrms (kV rms) que es más alto que el aislador de 2,5 kVrms del producto equivalente de la generación precedente. Gracias a esto, es capaz de soportar dispositivos de potencia con una tensión de resistencia de hasta 1.200 V.

Además, este nuevo circuito ofrece un rendimiento superior de CMTI (inmunidad a transitorios de modo común, por sus siglas en inglés) en 150 V/ns (nanosegundos) o más, proporcionando una comunicación fiable e inmunidad al ruido, a la par que cumple con las altas tensiones y las velocidades de conmutación rápidas requeridas en los sistemas inversores.

El RAJ2930004AGM ofrece las funcionalidades básicas de todo controlador de puerta en un pequeño paquete SOIC16, la cual cosa lo convierte en idóneo para sistemas inversores de bajo coste.

Podemos utilizarlo junto con los IGBT de la misma compañía fabricante, así como con los IGBT y SiC MOSFET de otras marcas. Además de los inversores de tracción, este circuito integrado puede servir en una amplia gama de aplicaciones que utilizan semiconductores de potencia, como cargadores de a bordo y conversores CC/CC.

Kit de desarrollo preparado

Gate driver RAJ2930004AGM

Para ayudar a los desarrolladores a disminuir el tiempo del lanzamiento al mercado, Renesas ofrece la solución xEV Inverter Kit, en la cual combina ICs de control de puerta con MCUs, IGBT e ICs de gestión energética, y planea lanzar una versión que incorpore el nuevo circuito de control de puerta en la primera mitad de este mismo año.

Para más información sobre este dispositivo, podemos recurrir a su página web.

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