El JFET UF3N170400B7S con encapsulado D2PAK-7L resulta idóneo en circuitos de protección de sobrecarga y otras muchas aplicaciones.
United Silicon Carbide (UnitedSiC), fabricante de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) y parte de Qorvo, anuncia la disponibilidad del UF3N170400B7S, un transistor JFET normalmente abierto (NO) SiC de tercera generación que ofrece un alto rendimiento.
Este dispositivo de 1700 V exhibe una resistencia ultrabaja (RDS(ON)) de 400 mΩ y una carga de puerta que permite disminuir la pérdida de conmutación y conducción. La RDS(ON) a VGS = 0 V también resulta ideal en circuitos de protección de corriente sin necesidad de control activo, así como en operación en cascada.
El UF3N170400B7S, que ofrece baja carga de puerta y baja capacidad intrínseca, se suministra en un encapsulado D2PAK-7L con rango de temperatura de -55 a +175 °C y compatible con RoHS (libre de halógenos y plomo).
La disipación de potencia alcanza 68 W y la temperatura de soldadura por reflujo puede llegar a 245 °C.
Las aplicaciones típicas de este JFET controlado por tensión incluyen circuitos de protección de sobrecarga, inversores DC-AC, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), módulos de corrección de factor de potencia (PFC), controladores de motor y sistemas de calentamiento por inducción.
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