La ReRAM MB85AS12MT combina densidad y eficiencia en un encapsulado WL-CSP de once pines.
Fujitsu Semiconductor Memory Solution anuncia el lanzamiento del modelo MB85AS12MT, una memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) de 12 Mbit (1.5 M x 8 bit), que supone la mayor densidad de la familia ReRAM de la compañía.
Esta memoria no volátil, que se presenta en un encapsulado de 2 x 3 mm, opera con una tensión de alimentación de 1,6 a 3,6 V y ofrece un mínimo consumo de energía (de 0,15 mA con una frecuencia de 5 MHz o 1 mA con 10 MHz) durante las operaciones de lectura.
La combinación de formato diminuto y eficiencia hace que resulte ideal en dispositivos vestibles como audífonos y relojes inteligentes.
Así pues, la MB85AS12MT proporciona una densidad de memoria 1,5 veces superior a la de las ReRAM de 8 Mbit existentes y mantiene el mismo encapsulado WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package) y la misma asignación de pines.
Incluso puede almacenar la información equivalente a unas noventa páginas de un periódico.
Precisamente, el WL-CSP de once pines puede ahorrar alrededor de un 80 por ciento del área de superficie de montaje con respecto a un SOP de 8 pines, frecuentemente utilizado por dispositivos de memoria con interfaz SPI.
La nueva ReRAM también se distingue por un rango de temperatura de -40 a +85 °C, una resistencia de lectura “ilimitada” y una resistencia de escritura de 500.000 operaciones.
Por lo tanto, este nuevo producto pretende solventar algunos problemas derivados del uso de memoria Flash o EEPROM en el desarrollo de dispositivos vestibles.
Existe más información de la ReRAM de 12 Mbit en este enlace.
