Ofreciendo una RDS(ON) desde 0,65 mΩ, los MOSFET SiJH600E y SiJH800E con diseño compacto contribuyen a aumentar la fiabilidad a nivel tarjeta.
Vishay Intertechnology introduce dos nuevos MOSFET TrenchFET de canal-N que tienen el objetivo de “aumentar la densidad de potencia, la eficiencia y la fiabilidad a nivel tarjeta” en telecomunicaciones y aplicaciones industriales.
Para lograr estos estos objetivos de diseño, el SiJH600E de 60 V y el SiJH800E de 80 V combinan resistencia (on-resistance) ultrabaja con una operación de hasta 175 °C y elevada capacidad de gestión de corriente continua. Su encapsulado PowerPAK 8x8L (8 x 7,9 x 1,8 mm) también fomenta la fiabilidad a nivel tarjeta.
La mínima resistencia de 0,65 mΩ (SiJH600E) y 1,22 mΩ (SiJH800E) es un 54 y un 52 por ciento menor, respectivamente, que dispositivos de la misma generación en el PowerPAK SO-8. Esto se traduce en ahorro de energía al disminuir las pérdidas de potencia (por la conducción).
A la hora de incrementar la densidad de potencia, ambos MOSFET proporcionan una corriente de drenaje continua de 373 y 288 A en un encapsulado que es un 60 y un 57 por ciento más delgado que el D²PAK. Y para ahorrar todavía más espacio, cada MOSFET se puede usar en lugar de dos dispositivos PowerPAK SO-8 en paralelo.
Con una operación de hasta 175 °C, los modelos Vishay Siliconix aportan un diseño robusto y fiable para rectificación simultánea en fuentes de alimentación, control de motor, gestión de batería y herramientas eléctricas.
Los dos MOSFET son libres de plomo y halógenos y cumplen la normativa RoHS.
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