El diseño de referencia RD-23 con tecnología de controlador ACF supera las prestaciones de adaptadores GaN de 30 W.
Silanna Semiconductor lanza un nuevo diseño de referencia basado en active clamp flyback (ACF) que pretende “simplificar y acelerar el desarrollo de aplicaciones de cargador rápido 1C de 33 W que usan FET de potencia de silicio”.
Beneficiándose de la última tecnología de controlador ACF CO2 Smart Power SZ1131 de la compañía, el Silanna Semiconductor RD-23 ofrece todo lo necesario para proporcionar un rendimiento que iguala o supera al de los cargadores basados en nitruro de galio (GaN) de 30 W con un coste asociado a los diseños de silicio convencionales.
Además, el RD-23 incorpora los elementos requeridos para realizar el prototipado y desarrollar un cargador totalmente funcional con bajo consumo de energía (operacional y sin carga/ stand-by) y mínima cantidad de componentes, reduciendo así el coste y el tamaño.
El nuevo diseño de referencia usa el controlador ACF SZ1131, que está asignado a 65 W para una entrada universal y por encima de 100 W con aplicaciones PFC. Este controlador dota de un altísimo nivel de integración al incorporar un controlador PWM digital adaptable, un FET active clamp de ultraelevada tensión (UHV), un controlador de puerta active clamp y un regulador de arranque en un dispositivo compacto.
Proporcionando una densidad de potencia de 22 W por pulgada cúbica, el RD-23 rinde con un pico de eficiencia superior al 92 por ciento y consume muy poca energía sin carga (@ 230 Vac – 20 mW). La eficiencia es plana en todo el rango de entrada universal (90 – 265 Vac).
Listo para su producción, el diseño de referencia supera los requisitos de interferencia electromagnética (EMI) conducida y radiada por un margen de más de 6 dB.
Funcionamiento del diseño de referencia
En principio, el SZ1131 opera a frecuencias de hasta 146 kHz y ofrece un controlador de retorno (flyback) sencillo con todos los beneficios de un diseño ACF, incluyendo reciclar la energía de inductancia de fuga del transformador de retorno y limitar el pico de voltaje de drenaje del FET primario durante los eventos de apagado.
Por otor lado, al emplear la arquitectura de control digital OptiMode, el SZ1131 ajusta el modo de operación de ciclo a ciclo para mantener la eficiencia (alta), la EMI (baja), la regulación de carga dinámica (rápida) y otros parámetros esenciales ante las variaciones de tensión y carga de línea.
Suministrado en un encapsulado SOIC de 16 pines, el SZ1131 aporta protección ante sobrecalentamiento, sobretensión, sobrecarga y cortocircuito, así como ante fallo de saturación de núcleo sin necesidad de componentes externos.
“El RD-23 es el último modelo de una serie de diseños de referencia basados en silicio y GaN que Silanna ha creado para ayudar a los ingenieros a desarrollar rápida y fácilmente los cargadores más eficientes y con la máxima densidad de potencia del mercado”, comenta Ahsan Zaman, director de Marketing de Producto de Silanna Semiconductor. “En nuestras pruebas, el RD-23 ha superado los datos de eficiencia y consumo sin carga de los mejores adaptadores de alimentación basados en GaN disponibles comercialmente. Demuestra un rendimiento a nivel GaN con un coste a nivel de silicio”.
Existe más información del diseño de referencia en este enlace.
