Con una nueva estructura para limitar las pérdidas, los semiconductores de alimentación SiC-SBD son más eficientes.
Fuji Electric anuncia el lanzamiento de la segunda generación de su serie SiC-SBD de semiconductores de alimentación, los cuales contribuyen al ahorro energético en los centros de datos y las estaciones base para comunicaciones. Dicho lanzamiento busca responder al crecimiento en la demanda de equipamiento de alimentación.
Ambos escenarios que cubre (centros de datos y estaciones base de comunicaciones) requieren de un alto suministro para poder mantener la operativa, por lo que sus equipos de suministro de energía están equipados con semiconductores de potencia (diodos) que convierten (rectifican) de manera eficiente la energía de corriente alterna recibida de las empresas de servicios públicos en energía de corriente continua.
A diferencia de los semiconductores de alimentación normales que sufren una pérdida de potencia (pérdida de estado estable) cuando se les suministra energía, los semiconductores de alimentación SiC-SBD de Fuji superan dicho aspecto para mejorar al ahorro energético al reducir la pérdida de estado estable en los circuitos electrónicos.
Otra forma que tenemos de reducir la pérdida de potencia en los semiconductores de alimentación es la de reducir la distancia a través de la cual la electricidad fluye creando un elemento de sustrato más delgado.
Esta serie utiliza un sustrato SiC (carburo de silicio) con un grosor reducido de aproximadamente una tercera parte de un dispositivo equivalente de primera generación.
Además, también presenta una estructura del chip modificada, la cual consigue reducir con éxito la pérdida de estado estable en un 16%. Gracias a aplicar su tecnología de procesamiento patentada, Fuji ha conseguido uno de los sustratos más finos. También ha mejorado la resistencia a grandes corrientes provocadas por rayos.
Todas estas medidas contribuyen a mejorar su fiabilidad, además de al ahorro energético.
Suministro de los componentes electrónicos
Los dispositivos de la gama se encuentran disponibles a través del catálogo de semiconductores de la marca, y presentan un voltaje de 650 o 1.200 V, con corrientes de 6, 8, 10, 20 o 40 A según el caso, un voltaje directo de 1,3 o 1,57 V (estos dos últimos valores para los ejemplares de 20 y 40 A respectivamente), y valores de sobretensión de corriente que van desde los 54 hasta los 305 A.
