Los controladores GaN de la familia TDGD27x (TDGD271 y TDGD274) aportan fiabilidad en entornos industriales y militares.
Teledyne e2v HiRel anuncia la disponibilidad de un par de controladores de puerta aislados que está especialmente indicado para dirigir los componentes de alimentación de nitruro de galio (GaN) usados en una amplia variedad de fuentes de alimentación, convertidores CC/CC, sistemas de gestión de batería BMS), módulos punto de carga (POL) y control de motor.
Los controladores de puerta aislados TDGD27x utilizan tecnología de aislamiento de silicio que soporta hasta 2.5 kVRMS y respalda la inmunidad a los transitorios en modo común (CMTI), las especificaciones de sincronización, una variación reducida de temperatura con el paso del tiempo y un test AC/DC de -55 +125 °C.
“Muchas aplicaciones de alimentación están aprovechando la reducción de tamaño y el aumento de la eficiencia consecuencia de los semiconductores WBG. Sin embargo, existía una carencia de funciones de apoyo adecuadas para las aplicaciones de alta fiabilidad más demandadas”, señala Mont Taylor, vicepresidente de Desarrollo de Negocio de Teledyne HiRel. “Los controladores de puerta aislados TDGD se suministran con un apantallado completo y, por ende, se convierten en una opción natural para los sistemas más exigentes”.
Detalles en los diferentes modelos
El TDGD271 es un controlador de un canal con alta estabilidad que se suministra en un encapsulado SOIC de 8 pines, mientras que el controlador de dos canales TDGD274 se puede dirigir con entradas PWM (moduladas por ancho de pulso) y se presenta en un encapsulado SOIC de 16 pines.
La familia TDGD27x está especialmente diseñada para una gran variedad de MOSFET/IGBT aislados y aplicaciones de control de puerta HEMT SiC (carburo de silicio) o GaN, incluyen la gama TDG de HEMT GaN de Teledyne HiRel. Su pequeño tamaño y amplio rango de temperatura marcan la diferencia.
Existe más información de los controladores GaN es este enlace.
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