Anuncio de una nueva memoria compacta STT-MRAM STT-MRAM de 64 MB del fabricante Micross Components, empresa representada en España y Portugal por Anatronic.
Con un bajo consumo, alta resistencia, alto rendimiento y escalabilidad, dicha memoria STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetoresistive Random Access Memory) de 64 Mb en un Die “Hermetic Quad” se basa en el silicio de 16 MB de Avalanche Technology.
El nuevo componente electrónico con SwaP optimizado ofrece un acceso de “lectura” y “escritura” verdaderamente aleatorio en el array de memoria, con el valor añadido de ser muy resistente al flujo magnético, mitigando la necesidad de apantallado adicional.
Con estas características, las memorias STT-MRAM garantizan la protección en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles. Por lo tanto, resultan ideales en aplicaciones militares y aeroespaciales.
Otras propiedades en las nuevas memorias
La STT-MRAM de 64 MB (4MB x 16) se convierte en la memoria MRAM con mayor densidad de la representada de Anatronic y se presenta en cuatro versiones de encapsulado hermético de 10 x 10 mm (CLGA y CBGA en definiciones de 48 y 60 pads/solder-ball) con opciones de RAD-HARD, RAD-Tolerant y Non-Radiation.
Por otro lado, proporciona una alta resistencia casi infinita con una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C y con una tensión de 2,7 a 3,6 V. Tiene un tiempo de acceso de 45 ns en este rango de temperatura militar.
Enlaces de interés para los lectores
Si deseas más información acerca de esta memoria compacta STT-MRAM de 64 MB con diseño compacto y eficiente para aplicaciones aeroespaciales, haz clic aquí para ver la página del producto o en este otro enlace para contactar con el distribuidor y poder solicitas más información o precios.
