Este nuevo amplificador de potencia GaN de 100 W para la banda-C QPA2309 aporta mejoras de potencia de salida RF y eficiencia en el mismo tamaño que generación previa.
Qorvo, fabricante de soluciones RF, introduce el modelo Qorvo QPA2309, un amplificador de potencia (PA) MMIC GaN que proporciona hasta 100 W de potencia saturada en un encapsulado QFN de 7 x 7 x 0,82 mm.
Así, el nuevo PA no requiere componentes RF externos adicionales, ayudando a los diseñadores y los integradores de sistema a reducir el tamaño y el peso, sin afectar a las prestaciones. La tecnología de montaje superficial (SMT) también respalda una disminución de costes y formato.
El Qorvo QPA2309, que se basa en el proceso de oblea patentado QGaN25HV de la compañía, opera entre 5 y 6 GHz (banda-C) y dota de una eficiencia añadida (PAE) del 52 por ciento, satisfaciendo las necesidades de radares en proyectos militares al doblar la potencia saturada y aumentar la ganancia de señal (22 dB) y la PAE en el mismo encapsulado de la anterior generación.
Qorvo también ofrece la opción de una versión de 50 W (QPA2310), con PAE del 53 por ciento y ganancia de 23 dB en la misma configuración de encapsulado.
Dean White, senior director de la División de Proyectos Militares y Aeroespaciales de Qorvo, añade que “el QPA2309 dota a nuestros clientes de la capacidad de incrementar su salida de densidad de potencia en la misma huella, así como el alcance y la sensibilidad del radar sin aumentar el tamaño ni el peso”.
Para los lectores interesados existe más información del amplificador de potencia GaN de 100 W en este enlace.
