Nuevos MOSFET de 600 V para conmutación estática CoolMOS S7 ideales en entornos industriales y automoción.
En aquellas aplicaciones donde los MOSFET se conmutan a baja frecuencia, el diseño de los productos de alta potencia debe cumplir unos determinados requisitos. Tienen que minimizar las pérdidas de conducción, optimizar el comportamiento térmico y posibilitar sistemas más compactos y ligeros, todo ello “manteniendo la máxima calidad al menor coste”.
Para hacer frente a este desafío, Infineon Technologies amplía su familia CoolMOS S7 de 600 V con nuevos dispositivos especialmente desarrollados para aplicaciones de conmutación estática. Se trata de los modelos CoolMOS S7 10 mΩ de grado industrial y CoolMOS S7A de grado automoción.
El CoolMOS S7 10 mΩ posee una resistencia baja (R DS(on)) para MOSFET superjunction de 600 V, estando especialmente indicado para aplicaciones donde la reducción de las pérdidas de conducción es un factor esencial, como sucede en relés de estado sólido (SSR).
Por su parte, el el CoolMOS S7A satisface las necesidades de disyuntores de estado sólido (SSCB) y diodos en sistemas de alta potencia en automoción, incluyendo High Voltage (HV) eFUSE, interruptor de desconexión de batería HV eDisconnect y cargadores a bordo (OBC).
Aplicaciones para los nuevos componentes electrónicos
Esta familia de producto ha sido desarrollada al optimizar la plataforma de tecnología CoolMOS 7 y poder mejorar las prestaciones en aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Como resultado, los nuevos modelos pueden ofrecer “la mejor relación calidad-precio”, prestando especial atención al rendimiento de conducción, la eficiencia energética, la densidad de potencia y la resistencia térmica.
Los chips CoolMOS S7 10 mΩ y CoolMOS S7A, que se presentan con la menor R DS(on) del mercado, se pueden integrar en un encapsulado SMD QDPAK top-side cooled (TSC) HDSOP-22-1 y proporcionan un excelente comportamiento térmico para convertirse en la alternativa a los dispositivos THD como TO-247.
Al sustituir un encapsulado THD por un dispositivo de montaje superficial con QDPAK, es posible lograr una reducción de la altura del 94 por ciento y, en consecuencia, soluciones de mayor densidad de potencia.
Y, gracias a las mínimas pérdidas de conducción de los modelos CoolMOS S7 10 mΩ y CoolMOS S7A, los diseñadores pueden limitar el tamaño de los disipadores de calor hasta un 80 por ciento y aumentar la ratio de tensión sin alterar el formato.
Existe más información de los nuevos MOSFET de 600 V en este enlace y en los distribuidores internacionales Digi-Key Electronics (ver aquí) y Mouser Electronics (ver aquí).
