Este tipo de memoria Flash QspiNAND para módem LTE ofrece la densidad demanda por los diseñadores de los nuevos módulos NB-IoT móviles.
Winbond Electronics anuncia una nueva versión de la memoria Flash QspiNAND diseñada para uso con el Qualcomm 9205 LTE Modem. Como la primera Flash QspiNAND de 1,8 V y 512 Mb (64 Mega Bytes), ofrece la densidad demanda por los diseñadores de los nuevos módulos NB-IoT móviles.
Así, Winbond amplía el alcance de las memorias Flash QSPI-NOR y QSPI-NAND tradicionales, dotando a los clientes de la flexibilidad de elegir su Code Storage Feature-Set con un coste mínimo. Esto es consecuencia del uso de las mismas señales de 6 pines y el conjunto de comando QSPI para las densidades Flash NAND SLC sin comprometer el rendimiento y del empleo de la nueva función Continuous READ con una velocidad de lectura de 104 MHz.
“Qualcomm Technologies ha testado y cualificado la Winbond QspiNAND Flash como una solución KGD apilada con el Qualcomm 9205 LTE Modem, haciendo posible que nuestros clientes OEM creen sistemas con un formato extremadamente pequeño”, afirma Vieri Vanghi, vicepresidente y product management de Qualcomm Europe Inc.
Los dispositivos de la familia Flash QspiNAND W25N se suministran en encapsulados de 8 pines que no se encontraban disponibles en el pasado para la memoria Flash NAND SLC típica. El W25N512GW es un array de memoria de 512 Mb organizado en 32.768 páginas programables de 2.112 bytes cada una. Ofrece un nuevo modo Continuous Read que permite un acceso eficiente a todo el array de memoria con un comando Read que resulta ideal para aplicaciones de code shadowing.
La frecuencia de reloj de 104 MHz soporta hasta 52 MB/s de transferencia de datos continua y equivale a una velocidad de 416 MHz (104 MHz x 4) para rendimiento E/S Quad al usar instrucciones Fast Read Dual/Quad I/O. Para aumentar la capacidad de gestión de memoria Flash NAND, existe una función on-chip que aporta un control de bloque erróneo.
Además, esta memoria combina bajo consumo y amplio rango de temperatura operativa. Rinde con una tensión de alimentación de 1,75 ~ 1,95 V, opera entre -40 y +85 °C (grado industrial) o entre -40 y +105 °C (grado industrial y automoción) y consume 25 mA (activo), 10 μA (standby) o 1 μA (Deep Power Down).
Su arquitectura se caracteriza por tiempo de lectura de página con ECC de 60 μs, tiempo de programación de página de 250 μs y tiempo de borrado de bloque de 2 ms, así como por retención de datos de diez años.
Formatos paras su implementación
En principio, los encapsulados disponibles abarcan WSON8 (6×8 mm), WSON8 (5×6 mm), TFBGA24 (6×8 mm) y KGD (Known Good Die).
Las memorias Flash QspiNAND de Winbond se fabrican en sus instalaciones de producción de oblea de 12” en Taichung (Taiwán), que están incrementando su capacidad para anticiparse al crecimiento de los sectores del automóvil e IoT.
