Los nuevos modelos CoolSiC MOSFET SMD de clase V de 1700 V ayudan a aumentar la eficiencia y reducir la complejidad en fuentes de alimentación auxiliares de alta tensión.
Infineon Technologies complementa su oferta de MOSFET CoolSiC con el lanzamiento de su clase V de 1700 V con tecnología de semiconductor “trench – tipo zanja” propia. A principios de año, la compañía ya introdujo unidades de 650 V.
Maximizando las características físicas del carburo de silicio (SiC), los nuevos dispositivos de montaje superficial (SMD) de 1700 V ofrecen una fiabilidad superior y bajas pérdidas de conmutación y conducción.
Los MOSFET CoolSiC se dirigen especialmente a las fuentes de alimentación auxiliares en sistemas de conversión trifásicos como controladores de motor, energías renovables, infraestructura de carga y sistemas HVDC.
Dado que las aplicaciones de baja potencia suelen operar por debajo de los 100 W, los diseñadores se decantan por una topología single-ended flyback. Con los nuevos MOSFET SMD de 1700 V, esta topología permite trabajar con circuitos auxiliares conectados DC-link con una tensión de entrada de 1000 VDC. Los convertidores auxiliares de alta eficiencia que usan un modelo single-ended flyback ahora se pueden implementar en sistemas de conversión trifásicos, con el consecuente ahorro de tamaño y componentes.
“La tecnología trench de los MOSFET CoolSiC que consigue el equilibrio demandado entre rendimiento y fiabilidad ahora está disponible en las unidades de 1700 V”, destaca Peter Friedrichs, Senior Director SiC de la Divisón de Control de Potencia Industrial de Infineon. “Combina los mejor de las propiedades de SiC: bajas pérdidas con pequeño tamaño en un encapsulado SMD de alta tensión. Esto ayuda a nuestros clientes a disminuir la complejidad de sus fuentes auxiliares”.
Beneficios al utilizar los nuevos MOSFET SMD
La tensión de bloqueo de 1700 V elimina los problemas de diseño relativos al margen de sobretensión y la fiabilidad de las fuentes de alimentación.
La tecnología CoolSiC trench se caracteriza por las menores capacidades de dispositivo y cargas de puerta de su clase. El resultado es una reducción de la pérdida superior al 50 por ciento y un incremento del 2,5 por ciento de la eficiencia en comparación con los MOSFET de silicio de 1500 V. Y la eficiencia también es un 0,6 por ciento mayor a la de otros MOSFET SiC de 1700 V. Con unas pérdidas mínimas, se permite un ensamblaje SMD compacto con convección natural y sin necesidad de disipador de calor.
Los nuevos MOSFET CoolSiC trench de 1700 V están optimizados para topologías flyback con una tensión de fuente de puerta +12 V / 0 V compatible con los controladores PWM más habituales. Por lo tanto, no requieren un CI de controlador de puerta y pueden funcionar directamente a través del controlador flyback. Las ratios de resistencia (on- resistance) se sitúan en 450, 650 o 1000 mΩ.
Su encapsulado SMD D²PAK-7L ofrece distancias de creepage and clearance de más de 7 mm y reduce el esfuerzo de aislamiento en el proceso de diseño.
Para finalizar, este tipo de MOSFET SMD ya está disponible en los distribuidores autorizados Digi-Key Electronics y Mouser Electronics.
