La familia de MOSFET de superunión de 600 V para aplicaciones de baja frecuencia CoolMOS S7 respalda la llegada de diseños más compactos, modulares y eficientes.
Infineon Technologies anuncia el lanzamiento de la familia de productos CoolMOS S7 de 600 V con la intención de aportar mejoras en densidad de potencia y eficiencia energética a aquellas aplicaciones donde los MOSFET están conmutados a una baja frecuencia.
Estos nuevos modelos se caracterizan por rendimiento de conducción optimizado, resistencia térmica mejorada y capacidad de corriente de elevado pulso. Además, el MOSFET CoolMOS S7 de 10 mΩ es, según la compañía, el modelo de su clase “con menor RDS(on)”.
Entre las aplicaciones para estos dispositivos se encuentran soluciones de rectificación de puente activa, fases de inversor, PLC y relés y disyuntores de estado sólido.
La nueva familia de productos ha sido desarrollada para minimizar las pérdidas de conducción y garantizar la rapidez de respuesta y la eficiencia en sistemas de conmutación de baja frecuencia.
Estos MOSFET de superunión proporcionan una RDS(on) por A todavía menor que los productos CoolMOS 7 para compensar las pérdidas de conmutación y disminuir el coste.
Además, han conseguido integrar un chip de 10 mΩ en un encapsulado QDPAK con refrigeración superior y un chip de 22 mΩ en un pequeño SMD TOLL (TO-leadless).
Futuro para los nuevos componentes
Los nuevos MOSFET de superunión respaldan la llegada de diseños más compactos, modulares y eficientes que cumplan los requisitos de los estándares de certificación energética como, por ejemplo, Titanium para fuentes conmutadas (SMPS) y satisfacen las necesidades presupuestarias.
El dispositivo CoolMOS S7 de 22 mΩ y 600 V está disponible en encapsulados TOLL y TO-220, mientras que los modelos de 40 y 65 mΩ se presentan en TOLL.
Y, con respecto a más detalles y adquisición, ya están disponibles en los distribuidores autorizados Digi-Key Electronics y Mouser Electronics.
