El módulo de relé con estructura de circuito tipo-T G3VM-21MT contribuye a reducir la frecuencia de mantenimiento de equipos de test y aumentar la productividad de componentes electrónicos.
OMRON Corporation anuncia el lanzamiento de su nuevo módulo de relé MOS FET G3VM-21MT, el primer componente electrónico de su clase en adoptar la estructura de circuito tipo-T.
Con esta estructura, compuesta por tres relés de estado sólido con formato compacto y señales de salida sin contacto físico, el nuevo módulo de relé minimiza la corriente de fuga (a 1 pA), algo que ha sido un quebradero de cabeza con los equipos de test de semiconductores.
El G3VM-21MT posibilita una medida de alta precisión y ayuda a incrementar la productividad de los componentes electrónicos.
El nuevo módulo de relé permite que las señales de medida en el equipo de test se usen principalmente para realizar pruebas eléctricas en dispositivos semiconductores.
El G3VM-21MT que mide 5 x 3,75 x 2,7 mm, incorpora un diagrama de cableado de los circuitos de entrada y salida en el módulo interna y, como consecuencia, simplificada el cableado de PCB.
Las aplicaciones incluyen sistemas de test de encapsulado de CI, de oblea de semiconductor y equipos de prueba de propósitos generales.
Con el lanzamiento del G3VM-21MT, OMRON contribuye “a reducir la frecuencia de mantenimiento de los equipos de prueba y respalda la evolución hacia la transformación digital de la sociedad”.
