ROHM Semiconductor anuncia la disponibilidad de seis nuevos MOSFETs SiC con estructura de puerta vertical (650/1200 V), la serie SCT3xxx xR-Serie, ideal para fuentes de alimentación de servidores, sistemas SAI, inversores de energía solar y estaciones de carga de vehículos eléctricos que requieren alta eficiencia.
La serie SCT3xxx xR utiliza un encapsulado de 4 pines (TO-247-4L) que maximiza el rendimiento de conmutación, permitiendo reducir las pérdidas por conmutación hasta en un 35% en comparación con los tipos de encapsulados de 3 pines convencionales (TO-247N). Esto contribuye a reducir el consumo de energía en un gran número de aplicaciones.
Los dispositivos SiC están atrayendo la atención debido a sus menores pérdidas en comparación con los dispositivos de silicio convencionales en los circuitos de conversión de energía de los servidores. Además, como el encapsulado TO-247-4L permite reducir las pérdidas por conmutación en comparación con los encapsulados convencionales, se estima que será adoptado en aplicaciones de alto rendimiento como servidores, estaciones base y sistemas de generación de energía solar.
La serie SCT3xxx xR consta de MOSFETs de SiC que utilizan una estructura de puertavertical (“trench gate”). Se ofrecen seis modelos, con una tensión de ruptura de 650V (3 productos) o 1200V (3 productos).
Características clave
Con los paquetes convencionales de 3 pines (TO-247N), la tensión de puerta efectiva en el chip se reduce debido a la caída de tensión a través de la inductancia parásita del terminal de la fuente. Esto hace que la velocidad de conmutación se reduzca.
La adopción del encapsulado de 4 pines TO-247-4L separa los pines del controlador y de la fuente de alimentación, minimizando los efectos del componente de inductancia parásita.
Esto permite maximizar la velocidad de conmutación de los MOSFETs de SiC, reduciendo la pérdida total por conmutación (encendido y apagado) hasta en un 35% en comparación con el encapsulado convencional.
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