Con una interfaz de alta densidad basada en la DDR4 de ocho o dieciséis bits, estas memorias STT-MRAM 1 Gb de 28 nm se diseñaron orientadas a su uso en centros de datos y otras aplicaciones que requieran garantizar la persistencia de los datos.
Everspin Technologies anuncia su entrada en la fase piloto de producción del que es la primera memoria STT-MRAM de 1 Gb fabricado con tecnología de 28 nm.
Las siglas STT-MRAM corresponden a la denominación Spin Torque Transfer Magnetoresistive Random Access Memory, y Everspin es una compañía fabricante especializada en el desarrollo de tecnologías MRAM. Hasta ahora, dicha compañía había estado produciendo volúmenes de su producto STT-MRAM de 256 Mb durante más de un año antes de lanzarse a producir este componente STT-MRAM 1 Gb de 28 nm.
Estas memorias facilitan a la infraestructura corporativa y a los proveedores de centros de datos incrementar la fiabilidad y rendimiento de sus sistemas en los que el rendimiento de la persistencia de los datos es un parámetro crítico. Para ello, este nuevo producto proporciona protección ante pérdida de alimentación, pero sin recurrir al uso de supercondensadores o baterías.
Además, la mayor densidad de la parte de 1 Gb ofrece una gestión más efectiva de los flujos de E/S, creando con ello un mayor nivel de determinismo de la latencia y permitiendo a los OEMs de almacenamiento a incrementar significativamente la calidad de servicio de sus productos.
Es posible alcanzar beneficios similares utilizando las memorias STT-MRAM de 1 Gb como buffer de datos persistente en aceleradores de almacenamiento y de fabricación, almacenamiento computacional, y otras aplicaciones.
Posibilidades con las nuevas memorias STT-MRAM
La familia de productos STT-MRAM de Everspin incluye versiones con interfaz compatible con ST-DDR4 tanto de ocho como de dieciséis bits, disponibles con un encapsulado BGA que cumple con los estándares JEDEC.
Por el momento, estas memorias solamente se han producido como muestras para los clientes interesados.
