Inicio Componentes activos Controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes

Controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes

1183
0

Los controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes de la serie GX7847x están optimizados para mejorar el rendimiento de moduladores de niobato de litio, fosfuro de indio y fotónica de silicio.

Mouser Electronics, una filial deTTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que IDT introduce ya su nueva serie GX7847x de controladores lineales 80G en formato die para módulos integrados ópticos y coherentes de próxima generación.

El mercado de soluciones coherentes sigue creciendo a un ritmo del 44 por ciento (CAGR) en puertos, con capacidad de 400G-plus. Según el informe Cignal AI 3Q18, las aplicaciones de quinta generación podrán soportar ancho de banda de 800 Gbps a 1 Tbps, con una ratio entre 80 y 100 Gbaud.

La serie IDT GX7847x consta de modelos con die integrado de cuatro canales que cubren todas las tecnologías de modulador óptico. Los modelos GX78471, GX78472 y GX78474 están optimizados para mejorar el rendimiento de moduladores de niobato de litio, fosfuro de indio y fotónica de silicio, respectivamente.

Usos para los controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes

Los nuevos drivers han sido diseñados para rendir en aplicaciones 400G ZR, Metro y Data Center Interconnect (DCI) y son compatibles con el estándar Optical Interconnect Forum (OIF).

Controladores lineales 80G para aplicaciones coherentesSe pueden emplear en módulos de subensamblaje, como High Bandwidth Coherent Driver Modulator (HB-CDM) e Integrated Coherent Transmitter-Receiver Optical Sub-Assembly (IC-TROSA), que se benefician de mayor ancho de banda sin degradación en lo que se refiere oscilación de tensión de salida, linealidad, consumo de energía y tamaño de die.

Los módulos ópticos integrados con controladores lineales 80G de IDT proporcionarán ancho de banda de 60 GHz con capacidad de modificar la respuesta de frecuencia y mejorar la respuesta E/O, tensión de salida de 2 Vppd para dirigir InP y 4Vppd para moduladores de niobato de litio y fotónica de silicio y linealidad de menos del 1 por ciento de THD para modulación de 64QAM.

DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.