Nuevos módulos de potencia MOSFET para SAIs y almacenamiento de energía que ayudan a reducir los costes de sistema al incrementar la densidad.
Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies pretende responder a la creciente demanda de soluciones de carburo de silicio (SiC) con el lanzamiento de nuevos dispositivos de su familia de MOSFET CoolSiC de 1200 V.
Los módulos de potencia CoolSiC Easy 2B permiten que los ingenieros reduzcan los costes de sistema al incrementar la densidad. También pueden ayudar a disminuir los costes operativos.
Con un 80 por ciento menos de pérdida de conmutación en comparación con IGBT de silicio, los niveles de eficiencia del inversor superan el 99 por ciento. Y, gracias a las propiedades del SiC, se puede conseguir la misma operación de frecuencia de conmutación, algo particularmente atractivo en aplicaciones de conmutación rápida, como SAI y almacenamiento de energía.
Algunas características en los nuevos módulos de potencia MOSFET
El encapsulado estándar Easy 2B para módulos de potencia se caracteriza por baja inductancia. Con una gran variedad de módulos half-bridge, six-pack & booster, Infineon ofrece el catálogo más amplio de encapsulados Easy 2B.
La configuración half-bridge se puede emplear para crear topologías four-pack & six-pack. Los nuevos dispositivos extienden la oferta de topología half-bridge con una resistencia (R DS(ON)) por switch de sólo 6 mΩ.
Además, el diodo integrado en el chip CoolSiC MOSFET garantiza una función freewheeling de baja pérdida sin necesidad de otro chip diodo. Mientras que el sensor de temperatura NTC facilita la monitorización del dispositivo, la tecnología PressFIT acorta el tiempo el tiempo de ensamblaje.
Infineon lanzó el primer módulo CoolSiC MOSFET six-pack en el encapsulado Easy 1B con una R DS(ON) de 45 mΩ.
