Infineon Technologies adquiere Siltectra, una empresa con sede en Dresde. La puesta en marcha ha desarrollado una tecnología innovadora para procesar material de cristal de manera eficiente y con una pérdida mínima de material.
Infineon utilizará la tecnología Cold Split para dividir las obleas de carburo de silicio (SiC), duplicando así el número de chips de una oblea. Se acordó un precio de compra de 124 millones de euros con el inversionista de capital de riesgo MIG Fonds, el principal accionista.
“Esta adquisición también nos ayudará a ampliar nuestra excelente cartera con el nuevo material de carburo de silicio. Nuestro entendimiento del sistema y nuestro exclusivo know how sobre la tecnología de obleas delgadas se complementarán de manera ideal con la tecnología Cold Split y la capacidad innovadora de Siltectra”, dijo el Dr. Reinhard Ploss, CEO de Infineon. “Gracias a la tecnología Cold Split, el mayor número de obleas de SiC hará que la aceleración de nuestros productos SiC sea mucho más fácil, especialmente en lo que respecta a una mayor expansión de las energías renovables y la adaptación cada vez mayor de SiC para el uso en el tren motriz de vehículos eléctricos”.
Y, por otro lado, el Dr. Jan Richter, CTO de Siltectra comentó: “Nos complace formar parte del equipo del líder mundial en el mercado de semiconductores de potencia. Habiendo demostrado que la tecnología Cold Split se puede utilizar en Infineon en principio, ahora trabajaremos juntos para transferirla a la producción en volumen”.
Michael Motschmann, socio general del administrador de MIG Fonds, MIG AG, dijo: “Desde que invertimos en Siltectra hace más de ocho años, siempre hemos creído en la tecnología Cold Split y en el gran equipo. Estamos muy contentos de haber encontrado a Infineon como un comprador que se adapta perfectamente a la empresa tanto tecnológica como culturalmente. Además, nos enorgullece haber ayudado a fortalecer la competitividad económica de Alemania con nuestra inversión”.
La tecnología de Siltectra
Fundada en 2010, la firma ha estado creciendo una cartera de propiedad intelectual con más de 50 familias de patentes. La puesta en marcha desarrolló una tecnología para dividir materiales cristalinos con una pérdida mínima de material en comparación con las tecnologías de corte comunes.
Esta tecnología también se puede aplicar con el material semiconductor SiC, para el cual se espera un rápido aumento de la demanda en los próximos años. Los productos de SiC ya se utilizan en inversores solares muy eficientes y compactos. En el futuro, SiC jugará un papel cada vez más importante en la movilidad eléctrica.
La tecnología Cold Split se industrializará en el sitio existente de Siltectra en Dresde y en el sitio de Infineon en Villach, Austria. Se espera que la transferencia a la producción en volumen se complete dentro de los próximos cinco años.
Infineon ofrece la cartera más amplia de productos de semiconductores de potencia basados en silicio, así como los sustratos innovadores de carburo de silicio y nitruro de galio. Es la única compañía en todo el mundo que produce volumen en obleas de silicona de 300 mm. Por lo tanto, Infineon también está bien posicionada para aplicar la tecnología de oblea delgada a los productos de SiC.
La tecnología Cold Split ayudará a asegurar el suministro de productos de SiC, especialmente a largo plazo. Con el tiempo, podrían surgir otras aplicaciones para esta tecnología, como la división de boule o el uso de materiales distintos al carburo de silicio.
