Estos nuevos JFET SiC a 650 y 1200 V de tercera generación se dirigen a protección de circuito en proyectos ferroviarios, aeronaves y tracción.
UnitedSiC ha anunciado sus JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unión) de carburo de silicio (SiC) de 650 y 1200 V Generation 3 como parte de la ampliación de su catálogo de JFET SiC normalmente-ON.
Usos para los JFET SiC
Estos dispositivos normalmente-ON con control de puerta de tensión cero resultan idóneos en aplicaciones como interruptores de circuito en estado sólido y protectores de circuito donde se necesita un estado-ON en ausencia de potencia de puerta.
Los nuevos modelos también se pueden emplear en conexiones en serie con un Si-MOSFET en forma de “supercascadas”, dotando de todas las ventajas de tecnología de amplio hueco de banda con elevadas tensiones operativas.
Otras posibles aplicaciones abarcan cargas electrónicas, rectificación síncrona de carga inalámbrica y conmutadores de potencia en convertidores flyback de bajo consumo, donde el JFET en una configuración de cascada aporta simplicidad.
Esta tercera generación se dirige a protección de circuito en proyectos ferroviarios, aeronaves y tracción, junto a conversión de potencia de conmutación de alta tensión.
Los JFET SiC tienen una figura de mérito RDSA (resistencia-ON normalizada con el área de die) extremadamente buena para minimizar la pérdida de inserción en aplicaciones de protección de circuito.
Se pueden conectar en paralelo, gracias a su coeficiente de temperatura operativa de RDSON y curva plana de tensión sobre temperatura. Cuando rinden en modo “lineal”, exhiben una amplia Área Operativa Segura (SOA) sin crowding de corriente y formación de filamento (que otras tecnologías padecen). Por consiguiente, son particularmente útiles en cargas electrónicas y limitadores de corriente.
La ausencia de un óxido de puerta en los JFET SiC logra beneficios adicionales de radiación y robustez.
UnitedSiC usa su proceso de oblea de 6” en la fabricación de estos dispositivos con técnicas avanzadas wafer-thinning y die-attach para mejorar la resistencia térmica junction-to-case.
Nomenclatura para los JFET SiC
Los nuevos dispositivos Generation 3 están codificados como UJ3N120070K3S (1200 V y 70 mΩ), UJ3N120035K3S (1200 V y 35 mΩ), UJ3N0650080K3S (650 V y 80 mΩ) y UJ3N065025K3S (650 V y 25 mΩ).
Todos ellos se presentan en un encapsulado TO-247-3L.
