Este nuevo circuito integrado en encapsulado XSPairFET denominado AONX38168, con tecnología de próxima generación a 25 V, establece un estándar en eficiencia y densidad de potencia.
AOS (Alpha and Omega Semiconductor) ha introducido el nuevo AONX38168, un circuito que utiliza la última tecnología de MOSFET N-Channel de 25 V.
Este nuevo componente electrónico incluye un MOSFET low-side & high-side en un encapsulado XSPairFET de montaje superficial sin plomo (DFN de 5 x 6 mm) que resulta ideal en aplicaciones con convertidor DC/DC síncrono.
El AONX38168 ha sido diseñado para reducir el switch node ringing (por la mínima inductancia parásita) y aumentar la densidad de potencia en comparación con otras alternativas en servidores y sistemas de telecomunicaciones.
“Con un aumento significativo del rendimiento, el AONX38168 permite que los nuevos diseños operen con frecuencias de conmutación superiores. Además, AOS ofrece una solución completa con IC de potencia y digitales para regulación de tensión DC/DC en servidores y sistemas de telecomunicaciones”, señala Peter H. Wilson, Director de Marketing de la línea de productos MOSFET de AOS.
Características del encapsulado XSPairFET
Además de caracterizarse por una muy baja resistencia on-state y una excelente Figura de Méritos (Rdson x Qg), así como por una conexión de fuente en la base para el MOSFET low-side, su diseño se traduce en una mejora del rendimiento térmico, una simplificación de la distribución y una disminución de la interferencia electromagnética (EMI).
