Los diodos independientes de IGBT ultra blando Infineon Prime Soft se pueden usar en HVDC/FACTs y controladores de media tensión con convertidores de fuente de voltaje.
Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha introducido ha lanzado una nueva familia de diodos para aplicaciones de IGBT. La gama Infineon Prime Soft ofrece una mayor capacidad de apagado (con ratios de 5 kA/µs).
Estos diodos, que se basan en los modelos independientes (freewheeling) IGCT con diseño de silicio monolítico, se pueden usar en HVDC/FACTs y controladores de media tensión con convertidores de fuente de voltaje, donde se demanda una mínima pérdida de potencia.
Los clientes que implementen los nuevos diodos independientes de IGBT ultra blando Prime Soft se pueden beneficiar de la menor pérdida (on-state) posible. Esto es consecuencia de su diseño de silicio monolítico que crea un área activa un 25 por ciento superior a la de diodos multichip.
La nueva solución aumenta la potencia de conmutación entre 6 y 10 MW con una temperatura de unión de +140 °C. Con respecto a un contacto free-floating sin conexión metalúrgica sólida entre el silicio y la portadora de molibdeno, la resistencia térmica es un 20 por ciento menor.
Aparte de las mejoras en fiabilidad y propiedades térmicas, los diodos Infineon Prime Soft dotan de mínimas pérdidas de conmutación. Su comportamiento de recuperación inversa elimina la oscilación bajo las condiciones más relevantes.
Los nuevos diodos presentados en esta noticia también simplifican fácilmente el apilado con press-pack IGBTs y freewheeling diodes, con el consecuente ahorro de tiempo.
Formatos de diodos independientes de IGBT ultra blando
Las unidades Infineon Prime Soft se suministran en tres diámetros de silicio (D1600U45X122, D2700U45X122 y D4600U45X172) con cubiertas press-pack con tensión de bloque de 4.5 kV.
