Alliance Memory ha ampliado su oferta de SDRAM CMOS DDR3 de alta velocidad y DDR3L de baja tensión con nuevos dispositivos x8 y x16 de 512 Mb en encapsulados FBGA de 78-ball y 96-ball, respectivamente.
Con una arquitectura DDR, estas memorias SDRAM dotan de ratios de transferencia extremadamente rápidas de 1600 Mbps y ratios de reloj de 800 MHz.
“Pocos fabricantes pueden suministrar SDRAM DDR3 y DDR3L de 512 Mb, por lo que estamos muy satisfechos de incorporar estas memorias a nuestro catálogo de productos, que también incluye dispositivos de 8 Gb, muy difíciles de encontrar”, destaca TJ Mueller, Vicepresidente de Marketing de Alliance Memory. “Además, los nuevos modelos se ofrecen en los mismos encapsulados que otros dispositivos con densidades de 512 Mb a 8 Gb, adecuándose a los requisitos de cada proyecto”.
Usos para las memorias SDRAM DDR3 y DDR3L de 512 Mb
Con mínima reducción de die, los nuevos productos son compatibles en pines con numerosas soluciones similares usadas en sistemas embebidos, ordenadores de sobremesa y portátiles, industrial metering, electrónica de consumo y estaciones base inalámbricas, eliminando la necesidad de rediseños costosos.
Las SDRAM DDR3 de 512 Mb operan desde una fuente de alimentación de +1.5 V (±0.075 V), mientras que las SDRAM DDR3L rinden desde una fuente de +1.35 V, con compatibilidad a 1.5 V.
Estas memorias JEDEC se encuentran disponibles en rangos de temperatura comercial (de 0 a +95 °C) e industrial (de -40 a +95 °C) y cumplen las directivas RoHS al estar libres de plomo y halógenos.
