Basadas en una nueva tecnología propietaria, estas soluciones de memoria no volátil IP están orientadas a su uso en la industria automotriz, para entornos exigentes.
X-FAB ha anunciado la disponibilidad de dos nuevas soluciones de memoria no volátil IP NVM (de Memoria No Volátil, por sus siglas en inglés): una eFlash (embedded Flash) de bajo consumo IP block, y un compilador NVRAM.
Ambos están basados en la tecnología propietaria CMOS de señal mixta XH018 de 180 nm, y están dirigidos a aplicaciones que requieren alta fiabilidad y la posibilidad de reprogramar sobre el terreno mientras operan con un bajo consumo en entornos hostiles.
Características de las soluciones de memoria no volátil
La eFlash de 128 kbit, que se encuentra disponible como un bloque IP 8 k por 16 bits, está basada en una tecnología Flash SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon). X-FAB cuenta con una larga experiencia integrando memoria SONOS en procesos CMOS convencionales para asegurar altos niveles de fiabilidad de datos.
El bloque IP ha sido diseñado para ser utilizado en aplicaciones de señal mixta de bajo consumo, proporcionando para ello un modo de stand-by de muy bajo consumo que consume un máximo de 50 nA.
Este nuevo bloque IP eFlash de X-FAB está dirigido a reemplazar memorias NVM standalone y memorias OTP (One-Time-Programmable) embebidas en aplicaciones de bajo consumo, permitiendo con ello las actualizaciones del código de los programas en el mismo emplazamiento de su instalación.
Esto significa que es un dispositivo muy adecuado para recolección de energía y para dispositivos de la IoT ubicados remotamente, idóneo en entornos adversos en los que las restricciones de alimentación son habituales, pero en los que se necesita la reprogramación sobre el terreno.
X-FAB ha calificado rigurosamente el bloque eFlash IP para que cumpla con el estándar AEC-Q100 para aplicaciones del sector automotriz, siendo capaz de operar en un rango de temperaturas que va desde los -40 hasta los +125. La tecnología SONOS permite una operativa fiable del bloque IP cuando se combina con opciones de alto voltaje que van entre los 6 y los 45 V, lo cual es posible gracias a los transistores NMOS, PMOS y DMOS.
La alta fiabilidad sobre el terreno viene facilitada por un amplio número de modos de prueba explícitamente diseñados para probar corrientes de bits de memoria, alcanzando 0 PPM sobre el terreno.
Estos productos ya se encuentran disponibles.
