Wolfspeed ha presentado cuatro nuevos modelos de MMICs GaN (Monolithic Microwave Integrated Circuit Galio-Nitrito) de 50 V, pensados para su uso en radares que operan en la banda S.
El primero de estos dispositivos es el CMPA2735015S, un MMIC amplificador de potencia basado en HEMT. El GaN presenta propiedades superiores en comparación con la silicona o el arseniuro de galio, incluyendo un voltaje de ruptura superior, una mayor velocidad de deriva de electrones saturados y una mayor conductividad térmica.
Los HEMTs GaN también ofrecen una mayor densidad de potencia, y mayores anchos de banda en comparación con los transistores Si y GaAs. Este MMIC GaN contiene un amplificador diseñado con una aproximación en dos etapas, emparejado de forma reactiva, y que permite alcanzar grandes anchos de banda.
Este MMIC se presenta en un encapsulado QFNL-32 de 5×5 mm pensado para su montaje en superfície.
El segundo MMIC de esta serie es el CMPA2735015D, un amplificador de potencia GaN de 15 W, de 2,7 a 3,5 GHz, y 50 V.
Por lo que respecta al resto de propiedades, el CMPA2735015D es idéntico al anterior modelo, ya que se basa en la misma tecnología, pero sin encapsulado.
El tercer y cuarto dispositivos son el CMPA2735030S y el CMPA2735030D respectivamente. El primero de estos dos, el CMPA2735030S, es un amplificador de potencia GaN encapsulado de 30 W, 2,7 a 3,5 GHz, y 50 V.
Al igual que el primer modelo de estos cuatro, el CMPA2735030S facilita la consecución de grandes anchos de banda gracias a que posee un amplificador diseñado con una aproximación en dos etapas y emparejado de forma reactiva. Está preparado para su montaje en superfície también con un encapsulado QFNL-32 de 5×5 mm.
Finalmente, el CMPA2735030D presenta unas características idénticas al anterior, pero sin encapsulado.
Muestras de los MMICs GaN para diseño
Wolfspeed pone a disposición de los clientes interesados, muestras de estos MMICs GaN de 50V para radares de banda S, que pueden encargarse.
