ROHM Semiconductor anuncia el desarrollo de módulos de alimentación con SiC de 1200 V 400/600 A realizados íntegramente con Carburo de Silicio (BSM400D12P3G002 y BSM600D12P3G001) y optimizados para inversores y convertidores en acondicionadores de energía solar, SAI y fuentes de alimentación para equipamiento industrial.
El BSM600D12P3G001 logra una corriente nominal de 600 A ya que utiliza un nuevo encapsulado caracterizado por una estructura interna original y un diseño optimizado de la radiación de calor para aplicaciones de mayor potencia, como fuentes de alimentación a gran escala para equipamiento industrial.
Además, las pérdidas de conmutación se reducen un 64% (a una temperatura del chip de +150 °C) si se comparan con los módulos IGBT para la misma corriente nominal, lo cual mejora considerablemente el ahorro de energía. La reducción del tamaño de los componentes periféricos y la elevada frecuencia de funcionamiento hacen que los efectos de la disminución de las pérdidas de conmutación sean superiores al trabajar con altas frecuencias, contribuyendo así a miniaturizar la refrigeración y otros sistemas.
Diseños con los módulos SiC
Durante los últimos años el SiC ha experimentado una creciente adopción en un mayor número de mercados, como el sector del automóvil y el industrial, debido a sus prestaciones superiores para el ahorro de energía y a la demanda de productos que puedan manejar corrientes más elevadas. Sin embargo, para maximizar las características de conmutación a alta velocidad del SiC, especialmente en productos con altas corrientes como los módulos de alimentación, es necesario desarrollar un nuevo encapsulado que elimine las sobretensiones transitorias durante la conmutación.
En marzo de 2012 ROHM fue la primera en el mundo en producir de forma masiva módulos de alimentación con SiC al integrar semiconductores de potencia constituidos en su totalidad por Carburo de Silicio. Desde entonces han desarrollado productos de alta potencia de hasta 1200 V / 300 A que han sido adoptados en diversos campos. Estos nuevos módulos utilizan un encapsulado de nuevo diseño que amplía la gama de módulos SiC para cubrir el importante rango de corrientes de 100 a 600 A, cubriendo así la creciente demanda en el mercado de IGBT.
