En la principal feria comercial dedicada a Electrónica de Potencia, Movimiento Inteligente y Gestión Energética, PCIM, que se celebra en Núremberg, ROHM Semiconductor presentará la tecnología de su familia de IGBTs de 650V de tercera generación. Gracias su estructura más avanzada y a sus características beneficiosas es una solución ideal para una conmutación suave y muy eficiente en aplicaciones industriales y electrodomésticos.
Los semiconductores de potencia, entre ellos los IGBTs, están ganando aceptación debido a su implementación en muchos tipos de aplicaciones de alta tensión. Sin embargo, se espera que estos componentes alcancen una elevada eficiencia y fiabilidad además de mantener unos bajos niveles de pérdidas. Al ampliar su gama existente, formada por IGBTs para alta corriente, con una menor tensión de saturación y una conmutación más rápida, ROHM presenta ahora su nueva generación para una eficiencia elevada.
Los nuevos dispositivos utilizan una estructura de oblea más fina, así como tecnologías de atenuación de campo y estructura propia de puerta de zanja para obtener las prestaciones más avanzadas con el fin de cubrir la creciente necesidad de conmutación a alta frecuencia.
Otras propiedades en la tercera generación de IGBTs
Los nuevos IGBTs de 650 V, basados en una estructura avanzada de atenuación de campo, ofrecen un menor gradiente de concentración de portadores en la región de deriva que permite mejorar la distribución de los portadores. Gracias a ello es posible reducir la tensión de saturación y aumentar la velocidad de conmutación, logrando así un excelente compromiso entre la tensión de saturación y las pérdidas en el paso a corte, a diferencia de las soluciones convencionales.
Formada por modelos de 30/50/80 A en la serie RGTV y de 30/40/50 A en la serie RGW, se suministra en dos encapsulados diferentes (TO-247N y TO-3PFM) y en dos series optimizadas.
La serie RGTV está diseñada para aplicaciones que exijan una protección avanzada frente a cortocircuitos y la serie RGW se adapta especialmente a convertidores, ofreciendo para ello una baja carga de puerta y una baja capacidad, así como unas pérdidas de conmutación extremadamente bajas.
