En ninguna parte esta tendencia es más evidente que en el mercado de la energía, donde los transistores de potencia GaN están reemplazando los MOSFETs en aplicaciones como sistemas de almacenamiento de energía, inversores y paneles solares AC.
Para inspirar a los ingenieros de diseño de energía en las universidades chinas a avanzar la tecnología de energía electrónica, GaN Systems vuelve a patrocinar el concurso anual de diseño CPSS. La Sociedad China de Energía Eléctrica (CPSS), el Comité de Popularización de la Ciencia de la Sociedad China de Potencia y la Universidad de Aeronáutica y Astronáutica de Nanjing están llevando a cabo una competición para diseñar inversores de alta densidad de potencia.
El tema de la tercera competición anual es la aplicación de la tecnología de la electrónica de potencia para la innovación, el ahorro de energía y el uso de nuevas energías. Los logros del diseño de inversor se evaluarán en función de los criterios de rendimiento, incluida la eficiencia del inversor, la densidad de potencia y la estabilidad de la salida en diversas condiciones de carga. El CPSS anunciará los equipos finalistas el 15 de septiembre y los ganadores del concurso serán anunciados y presentarán sus premios en la reunión anual del 22 de noviembre. Premios en efectivo de 20.000 yuanes, 10.000 yuanes, y 5.000 yuanes se dará a los ganadores del primer, segundo y tercer lugar, respectivamente.
“GaN Systems cree que los concursos de diseño, como el CPSS, sirven para motivar y estimular a los diseñadores de sistemas de energía a diseñar y construir sistemas con eficiencias y densidades de potencia nunca logradas antes de la fecha de lanzamiento”, dijo Jim Witham, CEO de GaN Systems.
Ejemplo de uso para los transistores de potencia GaN
La industria vio esto de primera mano con el Desafío Little Box de Google, donde las densidades de potencia del inversor basadas en GaN superaron dramáticamente los objetivos del desafío. Estamos orgullosos de ofrecer oportunidades para que los ingenieros exploren y amplíen los límites de rendimiento de los inversores de potencia aprovechando los beneficios de los transistores GaN en nuevos diseños de inversores.
