Rambus ha anunciado la disponibilidad de una PHY de memoria HBM Gen2, capa física con Memoria de Elevado Ancho de Banda (High Bandwidth Memory) desarrollada para la Plataforma ASIC FX-14 de alto rendimiento GLOBALFOUNDRIES.
Basada en la tecnología de proceso FinFET de 14 nm (14LPP) GLOBALFOUNDRIES, la Rambus HBM PHY se dirige a aplicaciones de networking y centro de datos.
La nueva capa física es compatible con el estándar JEDEC HBM2 y soporta ratios de datos de hasta 2000 Mbps por pin de datos, posibilitando un ancho de banda total de 256 GB/s a la hora de satisfacer las necesidades de tareas intensivas.
“Los centros de datos están cambiando continuamente y, por ello, queremos estar a la vanguardia del desarrollo de tecnología de interfaz para las cargas d trabajo”, comenta Luc Seraphin, vicepresidente senior y general manager de la División de Memoria e Interfaces de Rambus. “Mediante la colaboración con GLOBALFOUNDRIES, hemos creado una solución completa para ayudar a reducir la latencia y mejorar el rendimiento de sistema”.
Características en la PHY de memoria HBM
El Rambus HBM PHY aporta elevadas prestaciones con menor consumo que otras soluciones de memoria. Posee encapsulado 2.5D con una mayor interfaz (1024 bits) a menor velocidad de reloj, lo que se traduce en aumento de rendimiento y eficiencia en aplicaciones informáticas.
Esta PHY de memoria HBM forma parte del catálogo de Rambus de IP de interfaces de alta velocidad de memoria y SerDes para networking y centro de datos.
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