La División de Almacenamiento y Dispositivos Electrónicos de Toshiba Corporation ha ampliado su línea de MOSFET de potencia N-channel de baja tensión con la incorporación de unidades de 100 V que soportan controladores de nivel lógico de 4.5 V para cargadores rápidos.
Los dos nuevos MOSFET de la gama “U-MOS VIII-H Series” (“TPH4R10ANL” en encapsulado Advance y “TPH6R30ANL” en encapsulado SOP) ya se encuentran disponibles.
Ante la evolución de los cargadores rápidos, aumenta la demanda de mayores prestaciones en los MOSFET de potencia usados en rectificadores de lado secundario. Los nuevos modelos de Toshiba utilizan un proceso de estructura trench para lograr mejoras en baja resistencia (on-resistance) y elevada velocidad.
Esta estructura reduce el índice de rendimiento para “RDS(ON)” y, por lo tanto, aumenta las capacidades de conmutación. La pérdida de salida también se mejora con la disminución de la carga de salida. Esto se traduce en un incremento de la eficiencia.
Los nuevos MOSFET de potencia N-channel de 100 V para cargadores rápidos soportan controladores de nivel lógico de 4.5 V que hacen realidad la presencia de drive sin búfer desde el IC, contribuyendo así a minimizar el consumo de energía del sistema.
Las dos novedades pueden responder a los requerimientos de USB 3.0 de fuentes de alimentación de elevada tensión.
Aplicaciones para los MOSFET de potencia N-channel
Estos MOSFET están especialmente indicados en cargadores rápidos y otras muchas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC para servidores y equipos de comunicaciones.
