IR HiRel, una compañía de Infineon Technologies, ha lanzado sus primeros MOSFET para aplicaciones de misión crítica “resistentes a la radiación” basados en una plataforma de tecnología N-channel R9 propia.
En comparación con alternativas previas, ofrece mejoras en reducción de tamaño y consumo, algo esencial en satélites, donde el coste por bit puede disminuir significativamente.
Estos MOSFET para aplicaciones de misión crítica de 100 V y 35 A resultan ideales en aplicaciones “complicadas” que requieren una vida operativa de más de quince años, incluyendo convertidores DC-DC, convertidores de bus intermedio, controladores de motor y otros diseños de conmutación de alta velocidad.
Los nuevos modelos IRHNJ9A7130 e IRHNJ9A3130 se distinguen por inmunidad TID (total ionizing dose) a la radiación de 100 y 300 kRads, respectivamente. Una R DS(on) de 25 mΩ (típica) es un 33 por ciento menor que la de dispositivos de la anterior generación. Y, en combinación con una mayor capacidad de corriente de drenado (35 A vs. 22 A), contribuye a incrementar la densidad de potencia y reducir las pérdidas en aplicaciones de conmutación.
Los MOSFET también aportan mejoras en inmunidad Single Event Effect (SEE) y se caracterizan por un rendimiento útil con Linear Energy Transfer (LET) de hasta 90 MeV/(mg/cm²); al menos, un 10 por ciento superior que modelos previos.
Formato en los nuevos MOSFET para aplicaciones de misión crítica
Los dos nuevos dispositivos se suministran en un encapsulado cerámico de montaje superficial y herméticamente sellado (SMD-0.5), que mide 10.28 x 7.64 x 3.12 mm. También están disponibles en formato bare die.
