El distribuidor Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de los transistores GaN para comunicaciones por radio y radares por radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN) QPD de Qorvo.
Basados en la tecnología de GaN en carburo de silicio (GaN on SiC), estos transistores GaN para comunicaciones de alta movilidad de electrones (HEMT) con un transistor de amplificador de potencia compartida monofase ofrecen un amplio rango de frecuencia, potencia de salida y tensiones operativas para aplicaciones de elevada eficiencia.
La tecnología GaN soporta densidades de potencia RF entre cinco y seis veces superiores a las de amplificadores RF de arseniuro de galio (GaAs). Esta mejora en rendimiento y fiabilidad resulta ideal en infraestructuras y proyectos militares y aeroespaciales, como radares, guerra electrónica, comunicaciones, navegación y aplicaciones similares.
Los diseñadores también se benefician de mayor flexibilidad al poder reducir el espacio de tarjeta y los costes y aumentar las prestaciones de sistema.
Modelos de transistores GaN para comunicaciones
Los transistores RF GaN Qorvo QPD incluyen el modelo QPD1003, el primero de su clase (Banda-L) de 500 W y 50 Ω. Este dispositivo satisface las necesidades de rendimiento de arrays de fase de alta potencia, como radares Active Electronic Scanned Array (AESA), que operan con una frecuencia de 1.2 a 1.4 GHz. Estos sistemas demandan amplificadores de potencia que rindan con la máxima eficiencia posible y, por lo tanto, minimicen la generación de calor.
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