Infineon Technologies ha desarrollado tecnología SiC MOSFET de carburo de silicio que permite a los diseñadores de producto alcanzar niveles hasta ahora impensables en densidad de potencia y rendimiento. Ayuda a los desarrolladores a ahorrar espacio y peso, reducir los requerimientos de refrigeración y aumentar la fiabilidad.
El impacto de la funcionalidad de la tecnología SiC MOSFET queda demostrado. Los esquemas de conversión de potencia pueden operar con el triple de frecuencia de conmutación. Esto se traduce en disminución del cobre y aluminio empleados en sistemas magnéticos y facilita la creación de soluciones más ligeras.
Los nuevos MOSFET SiC de 1200 V han sido optimizados para combinar fiabilidad y rendimiento y minimizar las pérdidas en IGBT de silicio de menos de 1200 V. Esto es fundamental en aplicaciones con inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación ininterrumpidas (SAI) o sistemas de cargador / almacenamiento.
Estos mismos MOSFET son totalmente compatibles con las tensiones de +15 V / -5 V típicamente empleadas para dirigir IGBT, y tienen ratio de voltaje (V th) de 4 V con protección ante cortocircuito.
La nueva tecnología SiC MOSFET se basa en el proceso de semiconductor state-of-the-art y representa la última evolución de la familia Infineon CoolSiC, que incluye diodos Schottky, dispositivos J-FET y una amplia gama de soluciones híbridas con IGBT Si y diodos SiC en un módulo.
Componentes de la tecnología SiC MOSFET
Los primeros MOSFET CoolSiC de 1200 V discretos se caracterizan por on-resistance (RDS(ON)) de 45 mΩ y estarán disponibles en encapsulados TO-247 de 3 y 4 pines para inversores fotovoltaicos, SAI, carga de batería y almacenamiento de energía.
Están listos para esquemas de rectificación síncrona, gracias a la integración de un diodo de conmutación que rinde con “cero” pérdidas de recuperación inversa. El encapsulado de 4 pines incorpora una conexión adicional (Kelvin) a la fuente, que se usa como potencial de referencia para la tensión de puerta. Al eliminar los efectos de caída de voltaje por inductancia de fuente, se reducen las pérdidas de conmutación, especialmente con frecuencias superiores.
Infineon también ha anunciado módulos 1200 V ‘Easy1B’ half-bridge y booster con tecnología SiC MOSFET. Combinando conexiones PressFIT con interfaz térmica, baja inductancia y diseño robusto, cada módulo se encuentra disponible con opciones RDS(ON) de 11 y 23 mΩ.
