Mitsubishi Electric Corporation ha presentado las primeras muestras de diecisiete nuevos modelos de la serie T de IGBTs de séptima generación para equipos industriales, nuevos módulos semiconductores de potencia con transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
Los nuevos módulos, que tienen una ratio de 1.7 kV, ofrecen mejoras en fiabilidad y minimizan las pérdidas en inversores de propósitos generales, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), sistemas de generación de energía fotovoltaica y eólica y otros equipos industriales.
La familia de IGBTs de séptima generación
Esta gama se compone de doce unidades NX (seis con pin de soldadura y seis con ajuste forzado – press fit) con ratio de 100 a 600 A y cinco variantes estándares con rango de 75 a 300 A.
Además del IGBT, también incluyen un chip diodo RFC con proceso de difusión backside que contribuye a disminuir la pérdida de potencia.
La integración de aislante y base de cobre en el sustrato, junto a un electrodo interno, ayuda a incrementar el ciclo térmico y, por lo tanto, la fiabilidad.
El envío de muestras de los nuevos IGBTs de séptima generación comenzará el próximo 30 de septiembre.
