Toshiba anuncia un nuevo controlador de puerta para MOSFET de potencia canal N para automoción con la capacidad de prevenir el flujo de corriente entrante inverso en el circuito.
Toshiba Electronics Europe anuncia un nuevo controlador de puerta para MOSFET de potencia canal N que puede ser controlado por una entrada lógica de 3.3 V. Cuenta con protección contra cortocircuitos, con funciones de diagnóstico y una función para evitar que la corriente inversa fluya contra sí mismo, en caso de situación de polarización inversa de la batería.
Mediante la combinación de un controlador de puerta TPD7104AF y un MOSFET de potencia canal N, un relé semiconductor se puede crear fácilmente gracias a su bomba de carga integrada. Añadiendo una resistencia de derivación, las funciones de protección contra cortocircuito y diagnóstico también se pueden utilizar.
El controlador de puerta para MOSFET TPD7104AF cuenta con una fuga de corriente de salida muy baja para la condición de polarización inversa de la batería: IREV = -1 μA (min) (@ Tj = 25 °C) Alojado en un encapsulado compacto PS-8 el dispositivo mide solo 2,8 mm x 2,9 mm.
El nuevo dispositivo puede ser controlado por una entrada lógica de 3.3 V y tiene bomba de carga embebida, protección contra cortocircuitos y funciones de diagnóstico.
Usos del controlador de puerta para MOSFET
Este componente electrónico denominado TPD7104AF ha sido diseñado para aplicaciones de automoción, tales como conmutadores de conexión / desconexión de la alimentación en sistemas start / stop, relés semiconductores en centralitas (ECUs) y cajas de conexión en sistemas de baterías de 12 V.
